[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：

存储器单元阵列，包括多个平面；

页缓冲器，连接到存储器单元阵列，并与所述多个平面中的每个平面对应，页缓冲器被配置为经由第一节点接收位线电压控制信号；

去耦电路，连接到第一节点，去耦电路包括至少一个去耦电容器，去耦电路被配置为经由第一节点执行电荷共享；

位线电压控制信号生成器，连接到第一节点，位线电压控制信号生成器被配置为生成位线电压控制信号，

其中，第一节点位于去耦电路与位线电压控制信号生成器之间。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，去耦电路还包括去耦开关电路，

其中，所述多个平面包括偶数平面和奇数平面，

去耦电路包括连接到偶数平面的第一节点的第一去耦电路和连接到奇数平面的第一节点的第二去耦电路。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，去耦电路还包括去耦开关电路，

其中，去耦开关电路包括：

去耦旁路开关，被配置为控制去耦电容器与第一节点之间的连接；

去耦上拉开关，被配置为控制将电源电压施加到去耦电容器；

去耦下拉开关，被配置为控制将地电压施加到去耦电容器。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，去耦电容器被配置为在通过去耦下拉开关放电至地电压并通过去耦旁路开关连接到第一节点之后执行电荷共享。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，

去耦电容器被配置为在通过去耦上拉开关充电至电源电压并连接到第一节点之后执行电荷共享，

去耦电容器被配置为在通过去耦下拉开关放电至地电压并通过旁路开关连接到第一节点之后执行电荷共享。

6.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，

去耦电路包括第一去耦电容器和第二去耦电容器，

第一去耦电容器被配置为连接到去耦上拉开关并被充电至电源电压，

第二去耦电容器被配置为连接到去耦下拉开关并被放电至地电压，

第一去耦电容器和第二去耦电容器被配置为顺序地连接到第一节点，并分别执行电荷共享。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，去耦电路还包括去耦开关电路，

其中，所述多个平面中的每个平面和页缓冲器包括第一电容C1，

去耦电路包括具有第二电容C2的第一去耦电容器和具有第三电容C3的第二去耦电容器，

对于预充电电压V_PRE、开发电压V_DEV和电源电压VDD相对于所述多个平面，C2满足算术公式C2＝C1×(V_PRE/V_DEV－1)，并且

C3满足算术公式C3＝C1×(VDD/V_PRE－1)。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，去耦电路还包括去耦开关电路，

所述非易失性存储器装置还包括：

电容控制器，被配置为接收关于所述多个平面中的每个平面和页缓冲器的第一电容的电容信息，其中，

电容控制器被配置为控制去耦电容器的电容。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括：

开关电路，位于第一节点与位线电压控制信号生成器之间，开关电路被配置为控制传输到第一节点的位线电压控制信号。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，对于所述多个平面中的每个平面，去耦电路连接在开关电路与位线电压控制信号生成器之间。