[发明专利]基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种加热单元，包括：

壳体，所述壳体在其内部提供处理空间；

加热板，所述加热板在所述处理空间中支撑基板；

加热构件，所述加热构件设置在所述加热板中并且被配置为对由所述加热板支撑的所述基板进行加热处理；

排气构件，所述排气构件被配置为将在所述壳体的内部空间中的气体排出；和

外部气体供给部件，所述外部气体供给部件安装在所述壳体中并且被配置为将外部气体供给到所述处理空间中，

其中所述外部气体供给部件包括：

多个入口，所述多个入口设置在所述壳体中；和

多个流速调节构件，所述多个流速调节构件分别安装在所述入口中并且被配置为调节被引入到所述入口中的外部气体的流速。

2.根据权利要求1所述的加热单元，其中每个流速调节构件包括：

开口盖，所述开口盖被配置为调节相应入口的开度。

3.根据权利要求2所述的加热单元，其中所述外部气体供给部件还包括：

多个盖驱动部件，所述多个盖驱动部件被配置为驱动所述开口盖；和

流速控制部件，所述流速控制部件被配置为控制所述盖驱动部件。

4.根据权利要求1所述的加热单元，其中所述排气构件包括：

引导构件，所述引导构件安装在所述壳体的上部面对所述加热板并且在其中心具有排气孔；和

排气管，所述排气管穿过所述壳体的上表面以与所述排气孔连接。

5.根据权利要求4所述的加热单元，其中，所述引导构件被分成引入区域和排出区域，所述引入区域与所述壳体的上表面的内壁和侧表面的内壁间隔开以使得在所述引导构件上方的所述外部气体通过所述引入区域被引入，所述排出区域供在所述引导构件下方的所述外部气体排出。

6.根据权利要求4所述的加热单元，其中，当俯视时，所述引导构件的面积大于所述基板的面积。

7.根据权利要求1所述的加热单元，其中每个流速调节构件包括：

流速控制阀，所述流速控制阀安装在相应入口中。

8.根据权利要求1所述的加热单元，还包括：

多个加热器，所述多个加热器安装在所述壳体中并且被配置为分别对通过所述入口引入到所述壳体中的所述外部气体进行加热。

9.根据权利要求8所述的加热单元，其中，所述壳体被分成多个周向区，并且

其中所述加热单元还包括加热器控制部件，用于单独控制安装在所述周向区中的所述加热器。

10.根据权利要求8所述的加热单元，其中所述加热器安装在所述壳体的侧壁上。

11.根据权利要求1所述的加热单元，其中所述壳体包括：

下主体，所述下主体具有顶部开口的圆柱形，并且所述加热板位于其中；

上主体，所述上主体位于所述下主体的开口的上侧，并以底部开口的容器形状与下主体联接，以在其内部提供处理空间；和

主体升降部，所述主体升降部被配置为使所述上主体升降。

12.一种烘焙装置，包括：

处理室，所述处理室其内部提供热处理空间，并且具有用于在其一侧将基板载入或载出的槽；

冷却板，所述冷却板位于所述处理室的所述热处理空间中并且被配置为冷却所述基板；和

加热单元，所述加热单元被配置为加热所述基板，

其中所述加热单元包括：

壳体，所述壳体在其内部提供处理空间；

外部气体供给部件，所述外部气体供给部件具有设置在所述壳体中的入口，使得外部气体被引入到所述处理空间中，和被配置为调节通过所述入口引入的所述外部气体的流速的流速调节部件；

加热板，所述加热板在所述处理空间中支撑基板；

加热构件，所述加热构件设置在所述加热板中并且被配置为对由所述加热板支撑的所述基板进行加热处理；和

排气构件，所述排气构件被配置为将在所述壳体的内部空间中的气体排出。