[发明专利]基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本文所描述的发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置，并且更具体地涉及一种基板加热装置。

背景技术

执行各种工艺例如光刻、蚀刻、沉积、以及清洗，以制造半导体器件。光刻工艺是用于形成图案的工艺，并且在高集成度的半导体器件中起着重要作用。

光刻工艺主要包括涂布工序、曝光工序和显影工序，并且在曝光工序之前和之后进行烘焙工序。烘焙工序是用于热处理基板的工序，如果基板被置于加热板上，则通过设置在加热板内部的加热器对基板进行热处理。

图1是示出一般烘焙单元的截面图。

参考图1，烘焙单元包括壳体2，其提供用于在其内部进行烘焙工序的空间；加热器3，其安装在壳体2内部，用于加热基板S；和排气管线。

在执行烘焙工序的过程中产生的烟气通过排气管线4被排出到外部，并且外部空气通过入口5被引入。

传统的烘焙装置1以中心地集中排气的方式来实施，其中排气管线4设置在壳体1的上侧的中心处，并且在低温外部气体通过入口被引入到壳体中的过程中，壳体的内部温度被降低。此外，根据传统的烘焙装置，在通过排气管线将烟气排出的过程中，烟气附着到排气管线的内表面，导致排气管线的排气通道更小。

此外，传统的烘焙工序依赖于加热器的性能和加热器的控制，以提高基板薄膜的厚度均匀性，并且无控制地被引入到壳体中的外部空气被公认为确定基板薄膜厚度的主要原因。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种加热单元、包括该加热单元的烘焙装置和使用该烘焙装置的基板处理方法，在加热单元中可以通过调节被引入到的壳体中不同区域的外部空气的流速来调节基板区域的膜厚度。

本发明构思的实施方式还提供一种加热单元、包括该加热单元的烘焙装置和使用该烘焙装置的基板处理方法，该加热单元可以在基板被加热时抑制从外部引入的空气影响基板的温度。

本发明构思的实施方式提供了一种加热单元、包括该加热单元的烘焙装置和使用该烘焙装置的基板处理方法，该加热单元可以在基板处理工艺中防止烟气被再次吸附。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且从下面的描述中其它未提及的技术目的对于本领域的技术人员将变得显而易见。

根据本发明构思的一方面，提供了一种加热单元，其包括：壳体，其在其内部提供处理空间；加热板，其在处理空间中支撑基板；加热构件，其设置在加热板中并且被配置为对由加热板支撑的基板进行加热处理；排气构件，其被配置为将在壳体的内部空间中的气体排出；和外部气体供给部件，其安装在壳体中并且被配置为将外部气体供给到处理空间中，其中外部气体供给部件包括：多个入口，其设置在壳体中；和多个流速调节构件，其分别安装在入口中并且被配置为调节被引入到入口中的外部气体的流速。

每个流速调节构件可以包括开口盖，其被配置为调节相应入口的开度。

外部气体供给部件还可以包括多个盖驱动部件，其被配置为驱动开口盖；以及流速控制部件，其被配置为控制盖驱动部件。

排气构件可以包括引导构件，其安装在壳体的上部面对加热板并且在其中心具有排气孔；和排气管，其穿过壳体的上表面以连接到排气孔。

引导构件可以被分成引入区域和排出区域，引入区域与壳体的上表面的内壁和侧表面的内壁间隔开以使得在引导构件上方的外部气体通过引入区域被引入，排出区域供在引导构件下方的外部气体排出。

当俯视时，引导构件的面积可以大于基板的面积。

每个流速调节构件可以包括流速控制阀，其安装在相应入口中。

加热单元还可以包括多个加热器，其安装在壳体中并且被配置为分别对通过入口引入到壳体中的外部气体进行加热。

壳体可以被分成多个周向区，并且加热单元还可以包括加热器控制部件，用于单独地控制安装在周向区中的加热器。

加热器可以安装在壳体的侧壁上。

壳体可以包括：下主体，其具有顶部开口的圆柱形，并且加热板位于其中；上主体，其位于下主体的开口的上侧，并以底部开口的容器形状与下主体联接，以在其内部提供处理空间；和主体升降部，其被配置为使上主体升降。