[发明专利]激光封装结构和方法有效
申请号: | 201710482063.9 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN109119358B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 李牧野;朱树存 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 封装 结构 方法 | ||
本发明提供的激光封装结构和方法,基于掩模板将两相对固定的封装上基板与封装上基板之间的封装区域进行封装形成封装单元,采用粘合胶水与封装单元临时键合的方法实现掩模辅助封装,无需在封装设备上安装掩模辅助封装所需的掩模上板、对准、移除组件,并且节省了掩模上板、对准、移除工序,提高了封装产率。尤其是,通过临时键合的手段使掩模板与封装单元无间隙,这样可使掩模板封装图案所在的面向下使得该面与封装面距离更近,降低了振镜系统的需求,并解决了高世代基板掩模的凹陷变形问题与掩模台与基板台同步移动误差问题,降低因掩模带来的封装误差。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种激光封装结构和方法。
背景技术
随着技术发展,高世代窄边框封装技术成为了目前的技术热点,高世代窄边框封装中最重要的特点是边框越来越窄,目前可做到边框宽度最小为600μm,封装片的尺寸越来越大,如G6尺寸为1500cm×925cm。人们在不停地追求更窄的屏幕边框的同时,也给激光封装技术带来了更严格的挑战。主流封装方案中,封装光斑尺寸与封装线宽呈2:1的比例,因此面对高世代窄边框封装,为了抑制热影响区作用,避免封装单元的有源区过热损坏,大多数的窄边框封装技术都需要搭配掩模板进行封装,通过掩模板反射多余的激光束能量。
目前常规的掩模板辅助的激光封装主要有两种解决方案,一种是通过吸附方式对掩模板从上方与侧方进行夹持、对准、移动,从而利用掩模板遮挡激光束实现预定封装,另一种是将掩模板放在中空的掩模台上,从下方对掩模板进行支撑、对准、移动来进行掩模板辅助封装。但是这两种方法在高世代窄边框条件下都存在有不小的问题:首先高世代下掩模板尺寸较大,从掩模板上方进行吸附的方法由于掩模板过重变得无法进行;而从下方对掩模板进行支撑的方案,为了防止剐蹭掩模板铬面需要朝上,这将导致掩模板与封装面的距离加大,对振镜光路的远心度提出了更大的要求。更重要的是,大面积的掩模板由于支撑机构作用,掩模板面与基板面存在较大间隙,如图1所示,掩模板将会由于自重产生凹陷,引入较大的无法预测的误差,最后导致封装精度下降,严重影响封装质量;如图2所示,现有的封装结构从下至上分别为封装下基板(未图示)、周围有玻璃料10的待封装芯片、封装上基板20、间隙层30、掩模板40,掩模板40包括玻璃基板41以及镀射在玻璃基板41表面的铬面42,掩模板40与封装单元产生的间隙层30以及玻璃基板41的厚度之和使得封装过程中对光路远心角α提出更高要求。
另外,高世代基板封装设备设计中,需要使用龙门架来为基板台和掩模台的移动提供支撑,龙门架跨度较大,负载变多,因此龙门架不能保证移动精度,只能通过基板台运动进行,这样在封装过程中掩模台也需要与基板台同步运动,此处将引入较大的对准误差。除此之外,针对掩模板需要设计一套掩模板的支撑、对准、移动组件,这不仅使得封装设备设计复杂化,同时在生产流程中不可避免地要加上掩模板的上板、对准、移除这些掩模板工序,严重影响了生产效率。
发明内容
本发明提出了一种激光封装结构和方法,用于解决上述问题。
为达到上述目的,本发明提供一种激光封装方法,基于掩模板将两相对固定的封装上基板与封装上基板之间的封装区域进行封装形成封装单元,包括
步骤一:在所述掩模板上设置封装图案和在所述封装图案外围设置涂胶区域;
步骤二:在所述涂胶区域内涂粘合胶水,将所述掩模板与所述封装上基板的上表面临时键合,使所述封装图案与所述封装区域对准;
步骤三:使用激光照射所述封装图案对所述封装区域进行封装;
步骤四:封装完毕后,将所述掩模板与所述封装单元分离。
作为优选,将所述掩模板上封装图案所在的一面定义为基准面,以所述基准面向与所述基准面相对的一面凹陷形成的结构即为涂胶区域。
作为优选,所述涂胶区域为以所述基准面向与所述基准面相对的一面延伸形成的凹槽,所述涂胶区域为环形,所述封装图案位于所述环形内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造