[发明专利]气体处理装置、气体处理方法和存储介质

说明书

本发明提供在混合多个气体而向基板供给来进行处理时、能够可靠性较高地进行该混合的气体处理装置、气体处理方法和存储介质。以如下方式构成装置：具备：第1气体流路，向其上游侧供给第1气体，其下游侧分支而构成多个第1分支路径；第2气体流路，向其上游侧供给第2气体，其下游侧分支而构成多个第2分支路径；环状的混合室，所述多个第1分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第1位置连接，所述多个第2分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第2位置连接，并且排出路径与该混合室连接，该混合室用于使从所述第1分支路径和第2分支路径分别向所述排出路径流动的所述第1气体和所述第2气体混合而生成混合气体。

技术领域

本发明涉及将混合多个气体而生成的混合气体向基板供给来对该基板进行处理的气体处理装置、气体处理方法和存储介质。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，对作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)进行各种气体处理。存在通过混合多个气体、将混合了的气体向晶圆供给来进行该气体处理的情况。在该情况下，从上游侧分别供给多个气体，在处理装置设置各气体所通用的气体流路，以便使得所述各气体在流通中混合。

不过，存在各气体在上述的通用的气体流路中未充分地混合、各气体的浓度分布在该通用的气体流路的下游侧还产生偏差的情况。作为其结果，具有如下风险：各气体的浓度分布在晶圆的各部中不同，晶圆的面内的各部的处理的均匀性无法充分地提高。

能够想到：对能够抑制上述的浓度分布的偏差的特定的各气体的流量比进行检测，以该检测到的特定的流量比对晶圆进行处理。不过，为了提高晶圆的处理的自由度，并不限于那样的特定的流量比，要求能设定大范围的流量比。另外，能够想到以例如各气体形成回旋流而效率良好地混合的方式在通用的气体流路设置整流构件。不过，认为：能设置处理装置的空间受到限制，该通用的气体流路的大小也受到限制，因此，存在无法进行那样的整流构件的设置的情况。

在专利文献1中记载有在晶圆形成金属氧化物的薄膜的成膜装置。在该成膜装置中，成为如下结构：在气体喷头的上方设置有纵长的气体混合部，从该气体混合部的上部侧分别供给来的原料气体和稀释气体在混合部内的空间下降的过程中被彼此混合，而且，进一步与向喷头内供给的氧化气体混合。根据这样的结构，能够抑制混合部的大小、同时进行各气体的混合，但寻求能够更加抑制装置的大小、并且更可靠地进行各气体的混合的技术。另外，在专利文献2中记载有利用歧管将处理气体向基板上分散而供给的装置，但并没有公开解决上述的问题的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-133300号公报

专利文献2：日本特表2013-541182号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这样的状况而做成的，其目的在于提供一种能够在混合多个气体而向基板供给来进行处理时、可靠性较高地进行该混合的技术。

用于解决问题的方案

本发明的气体处理装置的特征在于，其具备：

载置部，其设置于要形成真空气氛的处理容器内，用于载置基板；