[发明专利]LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，其特征在于，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成；所述非晶硅中掺杂的镧系元素为用于与非晶硅中的氢反应形成氢化物的镧或铈。

2.根据权利要求1所述的LTPS基板，其特征在于，所述遮光层中铈的含量为0.2-2.0％wt。

3.根据权利要求1所述的LTPS基板，其特征在于，所述LTPS基板还包括：

第一缓冲层，形成于所述遮光层的下方；

第二缓冲层，形成于所述遮光层的上方；

多晶硅层，形成于所述第二缓冲层的上方。

4.根据权利要求3所述的LTPS基板，其特征在于，所述第一缓冲层以及第二缓冲层的沉积材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述多晶硅层包括沉积的非晶硅膜层晶化形成的多晶硅膜层。

5.一种LTPS基板的制作方法，其特征在于，所述LTPS基板包括衬底基板及在所述衬底基板上沉积而依次层叠的第一缓冲层、遮光层、第二缓冲层、多晶硅层；所述制作方法包括在所述多晶硅层沉积形成膜层后，对所述遮光层进行镧系元素掺杂处理，所述镧系元素为用于与非晶硅中的氢反应形成氢化物的镧或铈。

6.根据权利要求5所述的LTPS基板的制作方法，其特征在于，所述对所述遮光层进行镧系元素掺杂处理的具体过程包括：采用离子注入的方法，控制镧系元素离子动能，使镧系元素离子进入所述遮光层所处的位置且不停留在所述多晶硅层的位置；所述控制镧系元素离子动能的方式主要包括电压控制为10-15Kev，电子束电流控制为0.9-1.3uA/cm。

7.根据权利要求6所述的LTPS基板的制作方法，其特征在于，对所述遮光层进行镧系元素掺杂处理之前还包括如下步骤：去氢，将所述LTPS基板置于温度为450-490℃的环境下，空气处理30-60min。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管以如权利要求1-4任一项所述的LTPS基板为基础进行制作而成。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上形成有权利要求8所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。