[发明专利]LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。所述一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。本发明通过采用主要由掺杂镧系元素的非晶硅膜层作为LTPS基板的遮光层，不仅在确保遮光效率的同时减少了生产的工艺，更进一步地防止由于ELA过程中H渗出而造成的H爆炸问题的发生。解决了LTPS基板制作过程中存在的ELA不良问题，此外，可在一定程度上实现降低相应装置或系统整体制造的复杂性及有效地节约成本。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

【背景技术】

由于LTPS(低温多晶硅)具有较高的离子迁移率，可用于制作分辨率高，开口率大的显示面板。随着技术的发展，在液晶显示装置在制作过程中，LTPS已慢慢成为主流显示器中薄膜晶体管有源层沉积所使用的必选材料。在现有技术中，采用多晶硅沉积形成有源层时，其底部需要有一层遮光层，而该遮光层材料通常为不透光的金属材料，由于采用金属材料形成遮光层，其在后续的步骤中需要加入一步形成掩膜(mask)的过程，而此过程的增加必定引起生产成本的提高。

【发明内容】

本发明的目的旨在提供一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。所述LTPS基板采用掺杂镧系元素的非晶硅形成遮光层，达到LTPS遮光要求的同时，实现了减少处理工艺，降低生产成本的目的。

为实现该目的，本发明提供了一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，其特征在于，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。

进一步地，所述非晶硅中掺杂的镧系元素为镧或铈。

具体地，所述遮光层中铈的含量为0.2-2.0％wt。

进一步地，所述LTPS基板还包括：第一缓冲层，形成于所述遮光层的下方；第二缓冲层，形成于所述遮光层的上方；多晶硅层，形成于所述第二缓冲层的上方。

更进一步地，所述第一缓冲层以及第二缓冲层的沉积材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述多晶硅层包括沉积的非晶硅膜层晶化形成的多晶硅膜层。

还提供另一种LTPS基板的制作方法，所述LTPS基板包括衬底基板及在所述衬底基板上沉积而依次层叠的第一缓冲层、遮光层、第二缓冲层、多晶硅层；所述制作方法包括在所述多晶硅层沉积形成膜层后，对所述遮光层进行镧系元素掺杂处理。

进一步地，所述对所述遮光层进行镧系元素掺杂处理的具体过程包括：采用离子注入的方法，控制镧系元素离子动能，使镧系元素离子进入所述遮光层所处的位置且不停留在所述多晶硅层的位置；所述控制镧系元素离子动能的方式主要包括电压控制为10-15Kev，电子束电流控制为0.9-1.3uA/cm。

更进一步地，所述遮光层进行镧系元素掺杂处理之前还包括步骤：去氢，将所述LTPS基板置于温度为450-490℃的环境下，空气处理30-60min。

还提供另一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管以上述任一技术方案所述的LTPS基板为基础进行制作而成。

还提供一种阵列基板，包括如上任一技术方案所述的薄膜晶体管。

还提供一种显示装置，包括如上任一技术方案所述的阵列基板。

与现有技术相比，本发明具备如下优点：