[发明专利]等离子体成膜装置和基板载置台

权利要求书

1.一种等离子体成膜装置，其特征在于，包括：

用于收纳基板的腔室；

用于在所述腔室内载置基板的基板载置台；

对所述腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；

对所述腔室内进行排气的排气机构；和

使所述腔室内生成等离子体的等离子体生成单元，

通过所述等离子体生成单元，由所生成的等离子体激励所述成膜气体来在所述基板上成膜规定的膜，

所述基板载置台包括：直径比所述基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在所述载置台主体的外侧的呈环状的调整部件，

所述调整部件设置成可更换，并且作为所述调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个所述调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件，

所述调整部件包括：与所述载置面为相同高度的内周部；和与所述内周部之间形成所述台阶差的外周部。

2.如权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述等离子体生成单元是用于使所述腔室内生成微波等离子体的部件。

3.如权利要求2所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述等离子体生成单元包括：产生微波的微波产生装置；具有辐射微波的隙缝的平面天线；和构成所述腔室的顶壁的由电介质体构成的微波透射板，

使微波经由所述平面天线的所述隙缝和所述微波透射板辐射到所述腔室内，并将微波供给到所述腔室内，使所述腔室内产生微波等离子体。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述载置台主体具有用于加热所述基板的加热单元。

5.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述气体供给机构使用含氢气体作为成膜气体。

6.如权利要求5所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述成膜气体包含含氢硅原料作为所述含氢气体，成膜含硅膜作为所述规定的膜。

7.如权利要求6所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

作为所述成膜气体供给所述含氢硅原料和含氮气体，成膜氮化硅膜作为所述规定的膜。

8.如权利要求7所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述基板载置台将所述基板的温度控制在250～550℃的范围内。

9.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体成膜装置，其特征在于：

所述气体供给机构将作为等离子体生成气体的氦气与所述成膜气体一起供给到所述腔室内。

10.一种基板载置台，其用于在对基板成膜规定的膜的等离子体成膜装置的腔室中载置基板，所述基板载置台的特征在于，包括：

直径比所述基板的直径小且具有载置面的载置台主体；和配置在所述载置台主体的外侧的呈环状的调整部件，

所述调整部件设置成可更换，并且作为所述调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个所述调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件，

所述调整部件包括：与所述载置面为相同高度的内周部；和与所述内周部之间形成所述台阶差的外周部。

11.如权利要求10所述的基板载置台，其特征在于：

所述等离子体成膜装置具有生成等离子体的等离子体生成单元，通过所述等离子体生成单元在所述腔室内生成微波等离子体。

12.如权利要求11所述的基板载置台，其特征在于：

所述等离子体生成单元包括：产生微波的微波产生装置；具有辐射微波的隙缝的平面天线；和构成所述腔室的顶壁的由电介质体构成的微波透射板，

使微波经由所述平面天线的所述隙缝和所述微波透射板辐射到所述腔室内，并将微波供给到所述腔室内，使所述腔室内产生微波等离子体。