[发明专利]等离子体成膜装置和基板载置台

说明书

本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。

技术领域

本发明涉及等离子体成膜装置和基板载置台。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，要进行作为绝缘膜、保护膜、电极膜等各种膜的成膜。作为这样的各种膜的成膜方法，公知的是通过等离子体激励成膜气体，从而在基板上堆积规定的膜的等离子体CVD。

例如，在专利文献1中记载有：在设置于腔室内的基座上，作为基板载置半导体晶片，对腔室内供给硅原料气体和含氮气体作为成膜气体，并且供给等离子体生成气体(稀释气体)，通过使用微波等离子体的等离子体CVD，在半导体晶片上成膜氮化硅膜的技术。

另一方面，在进行等离子体处理时，公知的是，由于在基板的最外周部与其它的部分的等离子体的状况不同，所以在基板的最外周部的处理速率与基板的其它部分是不同的(例如专利文献2)。

因此，在等离子体CVD等的等离子体成膜处理中，在现有技术中，通过控制成膜气体和等离子体生成气体(稀释气体)的流动或控制等离子体的分布，来确保面内膜厚均匀性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009-246129号公报

专利文献2：国际公开第2009/008474号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，近来，半导体元件的精细化进展，对成膜处理中的膜厚均匀性的要求提高，仅通过成膜气体和等离子体生成气体(稀释气体)的流动的控制和等离子体的分布的控制，难以得到所希望的膜厚均匀性。

但是，本发明的课题在于提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和用于该等离子体成膜装置中的基板载置台。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述课题，本发明的第一观点提供一种等离子体成膜装置，其特征在于，包括：用于收纳基板的腔室；用于在所述腔室内载置基板的基板载置台；对所述腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对所述腔室内进行排气的排气机构；和使所述腔室内生成等离子体的等离子体生成单元，通过所述等离子体生成单元，由所生成的等离子体激励所述成膜气体来在所述基板上成膜规定的膜，所述基板载置台包括：直径比所述基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在所述载置台主体的外侧的呈环状的调整部件，所述调整部件设置成可更换，并且作为所述调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个所述调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。

根据本发明的第二观点，提供一种基板载置台，其用于在对基板成膜规定的膜的等离子体成膜装置的腔室中载置基板，所述基板载置台的特征在于，包括：直径比所述基板的直径小且具有载置面的载置台主体；和配置在所述载置台主体的外侧的呈环状的调整部件，所述调整部件设置成可更换，并且作为所述调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个所述调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。