[发明专利]显示装置、OLED显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201710485540.7 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107240599A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 oled 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的多个第一电极;
位于所述衬底基板上且将多个所述第一电极隔开的像素限定框,所述像素限定框用于限定出多个子像素区域;
位于各所述子像素区域以及所述像素限定框上的多层有机功能层,其中至少一层所述有机功能层在对应所述像素限定框的位置处具有镂空结构,且所述镂空结构至少隔断相邻两个所述子像素区域中具有导电性的有机功能层;以及
位于所述多层有机功能层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述镂空结构环绕所述子像素区域。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述镂空结构包括沿第一方向延伸的第一槽状结构以及沿第二方向延伸的第二槽状结构。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一槽状结构和所述第二槽状结构均设置有多条;
其中,相邻所述第一槽状结构之间至少间隔一行子像素,相邻所述第二槽状结构之间至少间隔一列子像素。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述多层有机功能层包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的部分或全部;
所述空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述电子注入层靠近所述第二电极设置。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述镂空结构贯穿部分或全部所述多层有机功能层。
7.一种OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在一衬底基板上形成多个第一电极;
在所述衬底基板上形成将多个所述第一电极隔开的像素限定框,所述像素限定框用于限定出多个子像素区域;
在所述像素限定框以及所述子像素区域上形成多层有机功能层;
在其中至少一层所述有机功能层中对应所述像素限定框的位置处形成镂空结构,所述镂空结构至少隔断相邻两个所述子像素区域中具有导电性的有机功能层;
在所述多层有机功能层上形成第二电极。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,形成镂空结构包括:
通过激光烧蚀工艺形成所述镂空结构。
9.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,所述镂空结构环绕所述子像素区域。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,所述多层有机功能层包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的部分或全部;
所述空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述电子注入层靠近所述第二电极设置。
11.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,在其中至少一层所述有机功能层中对应所述像素限定框的位置处形成镂空结构包括:
在形成所述多层有机功能层的全部层级结构后,在所述多层有机功能层的全部层级结构中对应所述像素限定框的位置处沿第一方向和第二方向分别形成槽状结构。
12.根据权利要求10所述的OLED显示面板的制造方法,其特征在于,在其中至少一层所述有机功能层中对应所述像素限定框的位置处形成镂空结构包括:
形成第一部分有机功能层,在所述第一部分有机功能层中对应所述像素限定框的位置处沿第一方向和第二方向分别形成槽状结构;
在形成有所述槽状结构的所述第一部分有机功能层上形成第二部分有机功能层。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的