[发明专利]显示装置、OLED显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201710485540.7 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107240599A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 oled 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及其制造方法,以及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)作为一种电流型发光器件,具有自发光、快速响应、宽视角、以及可制作于柔性衬底等优点而被广泛的应用于高性能显示领域。按照驱动方式,OLED可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED,无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩阵驱动有机发光二极管)。AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等优点而有望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代平面显示器。
随着用户对显示画质要求的不断提高,OLED显示面板的分辨率也越来越高,但在提高分辨率的同时也带来了新的问题,即当显示某特性像素时,其周边的一个或者多个像素也会同时点亮,从而出现像素间的串扰(cross-talk)现象。尤其是当有机电致发光层(EL)中使用某些p掺杂或n掺杂材料时,由于p掺杂或n掺杂材料的横向导电率较高,因此更容易引起串扰问题。为了解决以上问题,现有技术通常会将将p掺杂或n掺杂材料替换为横向导电率较低的材料,但是可选择的材料大大减少,并且会出现影响器件效能的情况。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种OLED显示面板及其制造方法,以及包括上述OLED显示面板的显示装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的第一方面,提供一种OLED显示面板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的多个第一电极;
位于所述衬底基板上且将多个所述第一电极隔开的像素限定框,所述像素限定框用于限定出多个子像素区域;
位于各所述子像素区域以及所述像素限定框上的多层有机功能层,其中至少一层所述有机功能层在对应所述像素限定框的位置处具有镂空结构,且所述镂空结构至少隔断相邻两个所述子像素区域中具有导电性的有机功能层;以及
位于所述多层有机功能层上的第二电极。
在本公开的一种示例性实施例中,所述镂空结构环绕所述子像素区域。
在本公开的一种示例性实施例中,所述镂空结构包括沿第一方向延伸的第一槽状结构以及沿第二方向延伸的第二槽状结构。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一槽状结构和所述第二槽状结构均设置有多条;
其中,相邻所述第一槽状结构之间至少间隔一行子像素,相邻所述第二槽状结构之间至少间隔一列子像素。
在本公开的一种示例性实施例中,所述有机功能层包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层中的部分或全部;
所述空穴注入层靠近所述第一电极设置,所述电子注入层靠近所述第二电极设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述镂空结构贯穿部分或全部所述多层有机功能层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一电极为阳极层,所述第二电极为阴极层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述衬底基板为刚性基板或柔性基板。
根据本公开的第二方面,提供一种OLED显示面板的制造方法,包括:
在一衬底基板上形成多个第一电极;
在所述衬底基板上形成将多个所述第一电极隔开的像素限定框,所述像素限定框用于限定出多个子像素区域;
在所述像素限定框以及所述子像素区域上形成多层有机功能层;
在其中至少一层所述有机功能层中对应所述像素限定框的位置处形成镂空结构,所述镂空结构至少隔断相邻两个所述子像素区域中具有导电性的有机功能层;
在所述多层有机功能层上形成第二电极。
在本公开的一种示例性实施例中,所述槽状结构环绕各所述子像素区域。
在本公开的一种示例性实施例中,形成镂空结构包括:
通过激光烧蚀工艺形成所述镂空结构。
在本公开的一种示例性实施例中,所述镂空结构环绕所述子像素区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的