[发明专利]集成电路封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路封装体，其包括：

接地连接结构，经配置以提供所述集成电路封装体的接地连接；

绝缘壳体，其遮蔽所述接地连接结构位于所述集成电路封装体内部者；所述绝缘壳体的侧壁具有位于上方的斜坡及位于下方的垂直部，所述垂直部的高度小于所述集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10；

屏蔽金属层，其仅覆盖在所述绝缘壳体的上表面及所述斜坡；以及

屏蔽导电柱，设置于所述绝缘壳体内且经配置以电连接所述屏蔽金属层与所述接地连接结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述绝缘壳体的厚度大于等于0.18mm。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述接地连接结构位于封装基板或导线框架上。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述屏蔽导电柱的下端直接与所述接地连接结构中的相应者连接。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述集成电路封装体进一步包含形成于所述接地连接结构中的相应者上的导电凸块，所述屏蔽导电柱位于所述导电凸块上。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述集成电路封装体进一步包含被动元件，所述屏蔽导电柱与所述被动元件的接地端连接。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述集成电路封装体进一步包含基板接地铜面，所述屏蔽导电柱位于所述基板接地铜面上。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述集成电路封装体进一步包含经配置以与所述接地连接结构中的相应者电连接的接地引线，所述屏蔽导电柱与所述接地引线连接。

9.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述屏蔽导电柱与所述屏蔽金属层是一体形成的。

10.一种制造集成电路封装体的方法，其包括：

形成排列在一起的若干封装体单元，每一封装体单元包含接地连接结构及绝缘壳体；

在所述每一封装体单元的绝缘壳体中自上而下形成填充孔；

在所述每一封装体单元的绝缘壳体的边界上形成位于上方的斜坡；

在所述填充孔中填充导电材料以形成屏蔽导电柱；

形成仅覆盖在所述每一封装体单元的绝缘壳体的上表面及所述斜坡的屏蔽金属层，所述屏蔽导电柱经配置以电连接所述屏蔽金属层与所述接地连接结构；以及

切割所述若干封装体单元以获得独立的所述集成电路封装体，其中所述集成电路封装体的侧壁具有所述斜坡及位于所述斜坡下方的垂直部，所述垂直部的高度于所述集成电路封装体所要屏蔽的目标干扰波波长的1/10。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘壳体的厚度大于等于0.18mm。

12.根据权利要求9所述的方法，其中提供所述接地连接结构包括于封装基板或导线框架上形成所述接地连接结构。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述屏蔽导电柱的下端直接与所述接地连接结构中的相应者连接。

14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含于所述接地连接结构中的相应者上形成导电凸块，所述屏蔽导电柱形成于所述导电凸块上。

15.根据权利要求9所述的方法，其进一步提供经配置以与接地连接结构电连接的被动元件，所述屏蔽导电柱的下端与所述被动元件的接地端连接。

16.根据权利要求9所述的方法，其进一步提供经配置与所述接地连接结构中的相应者电连接的接地引线，所述屏蔽导电柱与所述接地引线连接。

17.根据权利要求9所述的方法，其中所述屏蔽导电柱与所述屏蔽金属层是一体形成的。