[发明专利]一种多晶硅料提纯方法在审
申请号: | 201710496817.6 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107416840A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张兆民 | 申请(专利权)人: | 张兆民 |
主分类号: | C01B33/039 | 分类号: | C01B33/039 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 提纯 方法 | ||
1.一种多晶硅料提纯方法,其特征在于,包括以下步骤,
三氯氢硅的合成,通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅;
三氯氢硅的提纯,先将三氯氢硅进行前一级粗馏,然后再进行后一级精馏;
多晶硅料的提纯,用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。
2.按照权利要求1所述的一种多晶硅料提纯方法,其特征在于:所述步骤三氯氢硅的合成中反应温度为70℃-75℃,氯化氢的含水量为0.3%-0.4%。
3.按照权利要求1所述的一种多晶硅料提纯方法,其特征在于:所述步骤多晶硅料的提纯具体为用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅,使高纯硅淀积在1130℃-1250℃的热载体上。
4.按照权利要求3所述的一种多晶硅料提纯方法,其特征在于:所述热载体为高纯硅棒,通以电流使其达到所需温度。
5.按照权利要求1所述的一种多晶硅料提纯方法,其特征在于:所述步骤多晶硅料的提纯中氢和三氯氢硅的克分子比值在20-30之间。
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