[发明专利]一种多晶硅料提纯方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅料提纯技术领域，特别是一种多晶硅料提纯方法。

背景技术

多晶硅是太阳能电池生产的重要原材料，要求其纯度在5-6N数量级。物理法提纯多晶硅，投资少，见效快，对环境友好，是一种由前途的多晶硅提纯技术。物理法提纯多晶硅包括酸洗法、合金法、真空熔炼法、定向凝固法、造渣法和电解法等，其中酸洗法以其能量消耗少，提纯效率高、工艺简单，生产成本低廉而被逐渐推广使用。

中国发明专利申请CN 106587070 A公开了一种多晶硅的提纯方法，包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36-260μm；B：将研磨后的而多晶硅在氩气保护下5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃，保持0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±50℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种可以降低硅片表面反射率的单晶硅制绒添加剂。

为解决上述的技术问题，本发明的一种多晶硅料提纯方法，包括以下步骤，

三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；

三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；

多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。

进一步的，所述步骤三氯氢硅的合成中反应温度为70℃-75℃，氯化氢的含水量为0.3％-0.4％。进一步的，所述步骤多晶硅料的提纯具体为用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1130℃-1250℃的热载体上。

更进一步的，所述热载体为高纯硅棒，通以电流使其达到所需温度。

进一步的，所述步骤多晶硅料的提纯中氢和三氯氢硅的克分子比值在20-30之间。

采用上述配方后，本发明的多晶硅料提纯方法一方面有效的去除了多晶硅料中的杂质，使得多晶硅料纯度更高；另一方面提纯的多晶硅能够完全满足太阳能电池的需求；提纯的废弃物可以循环使用，不破坏环境。

具体实施方式

本发明的一种多晶硅料提纯方法，包括以下步骤，

三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；

三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；

多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。

进一步的，所述步骤三氯氢硅的合成中反应温度为70℃-75℃，氯化氢的含水量为0.3％-0.4％。三氯氢硅由硅粉和氯化氢反应合成，上述反应要加热到所需温度才能进行，又因是放热反应，反应开始后能自动持续进行。但能量如不能及时导出，温度身高后反而将影响产品收率。另外，影响产率的重要因素还有氯化氢的含水量。

进一步的，所述步骤多晶硅料的提纯具体为用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1130℃-1250℃的热载体上。

更进一步的，所述热载体为高纯硅棒，通以电流使其达到所需温度。

进一步的，所述步骤多晶硅料的提纯中氢和三氯氢硅的克分子比值在20-30之间。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。