[发明专利]一种半色调掩膜板有效
申请号: | 201710496938.0 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107145034B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 陈中明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 色调 掩膜板 | ||
1.一种半色调掩膜板,其特征在于,包括开口区和遮光区,所述开口区包括多个部分透光的第一开口和多个全透光的第二开口;部分所述第一开口与曝光机镜组拼接部位相对应,另一部分所述第一开口与所述曝光机镜组非拼接部位相对应,多个所述第一开口的口径不完全相同,且多个所述第一开口的透光率也不完全相同,以使所述镜组拼接部位和所述镜组非拼接部位相对应的各所述第一开口曝光的图形的尺寸大小相等,所述第一开口曝光的图形为辅柱状隔垫物,所述第二开口曝光的图形为主柱状隔垫物。
2.根据权利要求1所述的半色调掩膜板,其特征在于,位于所述半色调掩膜板上与曝光机镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径相同,位于所述半色调掩膜板上与所述曝光机所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率相同。
3.根据权利要求2所述的半色调掩膜板,其特征在于,位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径大于位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的口径,且位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率大于位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的透光率。
4.根据权利要求3所述的半色调掩膜板,其特征在于,位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径比位于半色调掩膜板上其余所述第一开口的口径大0.5微米,且位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率比位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的透光率大2%。
5.根据权利要求2所述的半色调掩膜板,其特征在于,位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径为6~10微米,位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率为15~25%。
6.根据权利要求1所述的半色调掩膜板,其特征在于,多个所述第一开口和多个所述第二开口分别呈间隔布置;各所述第一开口的口径均大于各所述第二开口的口径。
7.根据权利要求1所述的半色调掩膜板,其特征在于,在各所述第一开口上均镀设有用于降低透光率的铬膜。
8.根据权利要求1所述的半色调掩膜板,其特征在于,各所述第一开口和各所述第二开口的截面均为正八边形。
9.根据权利要求2所述的半色调掩膜板,其特征在于,所述半色调掩膜板与所述镜组拼接部位之间的距离为120mm。
10.根据权利要求1所述的半色调掩膜板,其特征在于,所述半色调掩膜板采用石英制成,所述半色调掩膜板的厚度为5~20毫米。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备