[发明专利]一种半色调掩膜板有效
申请号: | 201710496938.0 | 申请日: | 2017-06-23 |
公开(公告)号: | CN107145034B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 陈中明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 色调 掩膜板 | ||
本发明公开了一种半色调掩膜板,包括开口区和遮光区,所述开口区包括部多个部分透光的第一开口和多个全透光的第二开口;多个所述第一开口的口径不完全相同,且多个所述第一开口的透光率也不完全相同,以使各所述第一开口曝光的图形的尺寸大小相等,所述第一开口曝光的图形为辅柱状隔垫物,所述第二开口曝光的图形为主柱状隔垫物。本发明能够防止薄膜晶体管液晶显示器产生亮度不均匀且使用方便。
技术领域
本发明涉及一种半色调掩膜板,属于显示面板制备技术领域。
背景技术
在TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)制程中,PS(Post Spacer;柱状隔垫物)是color filter(彩色滤光片)层的一个关键工序。曝光是PS工序的重要制程,掩膜板(Mask)是曝光的一个基本工具。由于小尺寸Panel(玻璃基板)上一般同时有Main PS(主PS)和SubPS(辅PS)两种高度不同的PS,如果使用两道Mask曝光分别制作Main PS和Sub PS,则会导致PS工序的产能减少一半,同时也会造成光刻胶和显影液等物料的加倍损耗。因此,使用一道Mask曝光制作Main PS和Sub PS是非常必要的,这种Mask通常称为Halftone Mask(半色调掩膜板)。
Halftone Mask技术是通过降低Sub PS的开孔部透光度,以减少Sub PS接收到的曝光量,使得Sub PS在显影后的高度低于Main PS。例如在Sub PS的开孔部镀上一层薄的金属Cr(铬),这样能够降低Sub PS开口部的透光度,并导致Sub PS透光度低的区域曝光显影后的图形尺寸CD值减小。如图1所示,但是由于现有部分曝光机采用特殊的镜组拼接设计,因此,在相邻两镜组1之间的拼接部位11会产生Mura(亮度不均匀),通常称为Lens Mura(透镜亮度不均匀)。这样,使用半色调掩膜板2(如图1所示)曝光时,对应的Lens Mura区的SubPS高度会明显低于正常区的Sub PS高度,进一步组合成屏幕时,导致Lens Mura区出现亮度和其他区域不同,从而使TFT-LCD上产生Mura。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种能够防止薄膜晶体管液晶显示器产生亮度不均匀且使用方便的半色调掩膜板。
为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种半色调掩膜板,包括开口区和遮光区,所述开口区包括多个部分透光的第一开口和多个全透光的第二开口;多个所述第一开口的口径不完全相同,且多个所述第一开口的透光率也不完全相同,以使各所述第一开口曝光的图形的尺寸大小相等,所述第一开口曝光的图形为辅柱状隔垫物,所述第二开口曝光的图形为主柱状隔垫物。
位于所述半色调掩膜板上与曝光机镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径相同,位于所述半色调掩膜板上与所述曝光机所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率相同。
位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径大于位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的口径,且位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率大于位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的透光率。
位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径比位于半色调掩膜板上其余所述第一开口的口径大0.5微米,且位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率比位于所述半色调掩膜板上其余所述第一开口的透光率大2%。
位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的口径为6~10微米,位于所述半色调掩膜板上与所述镜组拼接部位相对应的各所述第一开口的透光率为15~25%。
多个所述第一开口和多个所述第二开口分别呈间隔布置;各所述第一开口的口径均大于各所述第二开口的口径。
在各所述第一开口上均镀设有用于降低透光率的铬膜。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备