[发明专利]抗蚀剂组合物和图案化方法

说明书

本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法。本发明的抗蚀剂组合物，其包括基础聚合物和含有碘代苯甲酰氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐，无论其为正型或负型，都提供高感光度和最小的LWR或改善的CDU。

相关申请的交叉引用

本非临时申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2016年6月28日在日本提交的专利申请No.2016-127556的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及包含含有碘代苯甲酰氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐的抗蚀剂组合物和图案形成方法。

背景技术

为了满足对LSI的较高集成密度和运转速度的需求，减小图案尺寸的努力在迅速发展。扩展的闪存市场和对增大的存储容量的需求推动着小型化技术。作为先进的小型化技术，已大规模地实施采用ArF光刻的65nm节点的微电子器件的制造。采用下一代ArF浸没式光刻的45nm节点器件的制造即将进入大量应用的阶段。下一代32nm节点的候选者包括将具有比水高的折射率的液体与高折射率透镜和高折射率抗蚀剂膜组合使用的超高NA透镜浸没式光刻、波长13.5nm的EUV光刻和ArF光刻的双重图案化光刻，对它们已进行了积极研究。

随着图案特征尺寸减小，接近光的衍射极限，光对比度降低。在正型抗蚀剂膜的情况下，光对比度的降低导致孔和沟槽图案的分辨率和焦点余裕的减小。

随着图案特征尺寸减小，线图案的边缘粗糙度(LWR)和孔图案的临界尺寸均一性(CDU)视为重要。指出这些因素受到基础聚合物和产酸剂的分离或团聚以及产生的酸的扩散的影响。存在如下倾向：随着抗蚀剂膜变得较薄，LWR变得较大。膜厚度减小以顺应尺寸减小的发展导致LWR的劣化，其成为严重的问题。

EUV光刻抗蚀剂必须同时满足高感光度、高分辨率和低LWR。随着使酸扩散距离减小，使LWR减小，但感光度变得较低。例如，随着使PEB温度降低，结果是减小的LWR但较低的感光度。随着使猝灭剂的添加量增大，结果是减小的LWR但较低的感光度。必须克服感光度与LWR之间的折衷关系。

发明内容

对于酸催化的化学增幅型抗蚀剂，希望开发能够提供高感光度并且减小LWR或改善孔图案的CDU的产酸剂。

本发明的目的是提供抗蚀剂组合物，无论其为正型或负型，都显示出高感光度和减小的LWR或改善的CDU；和使用其的图案形成方法。

本发明人已发现使用含有碘代苯甲酰氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐作为产酸剂，可得到具有减小的LWR、改善的CDU、高的对比度、改善的分辨率和宽的工艺余裕的抗蚀剂材料。

一方面，本发明提供抗蚀剂组合物，其包括基础聚合物和具有式(A-1)的锍盐或具有式(A-2)的碘鎓盐。