[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅阵列基板，其特征在于，包括低温多晶硅薄膜晶体管(10)、低温多晶硅薄膜晶体管(10)上方的平坦层(20)、背镀氧化铟锡层(30)以及所述背镀氧化铟锡层(30)表面的绝缘层(40)；所述背镀氧化铟锡层(30)上形成有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层(30)上开设的镂空图案，所述绝缘层(40)贴合在所述背镀氧化铟锡层(30)表面并完全覆盖所述刻度标记，所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅。

2.一种低温多晶硅阵列基板，其特征在于，包括低温多晶硅薄膜晶体管(10)、低温多晶硅薄膜晶体管(10)上方的平坦层(20)、背镀氧化铟锡层(30)以及所述背镀氧化铟锡层(30)表面的绝缘层(40)；所述背镀氧化铟锡层(30)上形成有刻度标记；所述绝缘层(40)镂空设置，露出所述刻度标记的中间区域，所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅。

3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述绝缘层(40)为沿所述背镀氧化铟锡层(30)边缘设置的一圈封闭的环形结构。

4.根据权利要求1-3任一所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述刻度标记包括一条第一方向延伸的第一刻度(31)和若干条沿第二方向延伸的第二刻度(32)，所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)交叉设置。

5.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)相互垂直。

6.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第二刻度(32)的端部倒角设置。

7.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)的侧壁倒角设置。

8.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)的交叉处倒角设置。

9.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

制作平坦层(20)；

在所述平坦层(20)上制作背镀氧化铟锡层(30)；

在所述背镀氧化铟锡层(30)上制作绝缘层(40)，所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅；

其中，所述背镀氧化铟锡层(30)上制作有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层(30)上开设的镂空图案，所述绝缘层(40)贴合在所述背镀氧化铟锡层(30)表面并完全覆盖所述刻度标记。

10.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

制作平坦层(20)；

在所述平坦层(20)上制作背镀氧化铟锡层(30)；

在所述背镀氧化铟锡层(30)上制作绝缘层(40)，所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅；

其中，所述背镀氧化铟锡层(30)上制作有刻度标记，所述绝缘层(40)镂空设置，以露出所述刻度标记的中间区域。