[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板，包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层、以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层；所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案，所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记，或者所述绝缘层镂空设置，露出所述刻度标记的中间区域。本发明的低温多晶硅阵列基板制作方法简单，通过将背镀氧化铟锡层上的刻度标记与其上的绝缘层经过特别设计后，可以有效地改善离子体氮化硅脱落现象，大幅提高基板产品的良率。

技术领域

本发明涉及基板制作技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法。

背景技术

LTPS(Low Temperature Poly-silicon，即低温多晶硅)制程中，在显影时为控制曝光的偏移，需要使用Mask blade(掩模板遮挡板)设计来检测曝光偏移量。

BITO(Back side Indium tin oxide，即背镀氧化铟锡)的下一制程是镀P-SiN(等离子体氮化硅)绝缘膜，在实际生产中发现镀膜制程后，BITO Mask blade容易发生等离子体氮化硅脱落的现象，脱落的材料在后续面板制程中形成盒内异物，造成产品报废。其主要原因是等离子体氮化硅和阶梯形状的BITO边缘的覆盖性不佳，造成等离子体氮化硅附着性不佳。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种改善离子体氮化硅脱落现象的低温多晶硅阵列基板及其制作方法。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种低温多晶硅阵列基板，包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层；所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案，所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记。

本发明提供的另一种技术方案是：

一种低温多晶硅阵列基板，包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层；所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记；所述绝缘层镂空设置，露出所述刻度标记的中间区域。

作为其中一种实施方式，所述绝缘层为沿所述背镀氧化铟锡层边缘设置的一圈封闭的环形结构。

作为其中一种实施方式，所述刻度标记包括一条第一方向延伸的第一刻度和若干条沿第二方向延伸的第二刻度，所述第一刻度与所述第二刻度交叉设置。

作为其中一种实施方式，所述第一刻度与所述第二刻度相互垂直。

作为其中一种实施方式，所述背镀氧化铟锡层在所述第二刻度的端部倒角设置。

作为其中一种实施方式，所述背镀氧化铟锡层在所述第一刻度与所述第二刻度的侧壁倒角设置。

作为其中一种实施方式，所述背镀氧化铟锡层在所述第一刻度与所述第二刻度的交叉处倒角设置。

本发明的另一目的在于提供一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，包括：

制作平坦层；

在所述平坦层上制作背镀氧化铟锡层；

在所述背镀氧化铟锡层上制作绝缘层；

其中，所述背镀氧化铟锡层上制作有刻度标记，所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案，所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记。

本发明提供的另一种技术方案是：

一种低温多晶硅阵列基板的制作方法，包括：