[发明专利]气相沉积设备在审

专利信息
申请号: 201710505502.3 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107267961A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 刘凤举 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/509
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 沉积 设备
【权利要求书】:

1.一种气相沉积设备,其特征在于,包括腔体(10)、第一电极(11)、第二电极(12)以及进气管(13),所述腔体(10)上开设有进气口和排气口,所述第一电极(11)、所述第二电极(12)设于所述腔体(10)内且分别接高频交流电和接地,所述第一电极(11)设于所述进气口所在侧,所述第二电极(12)与所述第一电极(11)平行且相对设置;所述第一电极(11)包括朝向所述进气口的第一开口(111)和背向所述进气口、与所述第一开口(111)连通的第二开口(112),所述进气管(13)自所述进气口引入并连接在所述第一开口(111)。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备,其特征在于,所述第一电极(11)内部中空形成腔体结构,所述第一开口(111)和所述第二开口(112)分别开设在腔体结构的两个相对面上,所述第二开口(112)为多个且阵列设置。

3.根据权利要求2所述的气相沉积设备,其特征在于,所述进气管(13)与所述第一电极(11)绝缘设置。

4.根据权利要求3所述的气相沉积设备,其特征在于,所述进气管(13)与所述第一开口(111)之间连接有绝缘的连接环(14),所述连接环(14)位于所述腔体(10)内。

5.根据权利要求4所述的气相沉积设备,其特征在于,所述连接环(14)外表面套设有第一水冷管(15)。

6.根据权利要求3所述的气相沉积设备,其特征在于,所述进气管(13)为绝缘材料制成。

7.根据权利要求6所述的气相沉积设备,其特征在于,所述进气管(13)外表面套设有第二水冷管(16)。

8.根据权利要求2所述的气相沉积设备,其特征在于,所述真空腔体(10)的所述排气口位于第二电极(12)所在侧。

9.根据权利要求2所述的气相沉积设备,其特征在于,所述第一电极(11)内设置有至少一层过滤网(110)。

10.根据权利要求1-9任一所述的气相沉积设备,其特征在于,还包括环形的铁磁体(17),所述铁磁体(17)套设在所述进气管(13)的外壁。

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