[发明专利]气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种气相沉积镀膜技术领域，尤其涉及一种气相沉积设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积法PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)借助于气体辉光放电产生的低温等离子体，增强反应位置的化学活性，促进了气体间的化学反应，从而在低温下也能在基材上形成固体膜。PECVD在半导体和平板显示行业有大量的应用，尤其是在LTPS和OLED平板显示行业，PECVD设备是不可或缺的关键设备，用于制备SiN_x，SiO_x和ASi(Amorphous silicon，即无定型硅)薄膜，其固体膜产品可以敷在各种软基材、硬基材上。

PECVD设备通常通过一对或若干对电极辊对向放电产生等离子体，一个放电区域在两组电极之间形成放电区，放电区域内通过放电产生的电子碰撞分子或原子产生等离子体，高能量的等离子体运动过程中促成反应气体的化学反应，组成了新成份粒子。新成份粒子在磁场的控制下形成规律性的运动，最终沉积在基材或设备的外壁上形成固态薄膜。

实际PECVD工艺中，设备的处理腔内固定有喷出气体的喷头，连接有气源的进气管路(Gas Feed Tube)与喷头连接，喷头喷出的气体在电极间解离形成等离子体(plasma)。然而，在电极间固定喷头并不方便，也增大了设备体积。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种气相沉积设备，可以减少零部件数量，并减小设备体积。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种气相沉积设备，包括腔体、第一电极、第二电极以及进气管，所述腔体上开设有进气口和排气口，所述第一电极、所述第二电极设于所述腔体内且分别接高频交流电和接地，所述第一电极设于所述进气口所在侧，所述第二电极与所述第一电极平行且相对设置；所述第一电极包括朝向所述进气口的第一开口和背向所述进气口、与所述第一开口连通的第二开口，所述进气管自所述进气口引入并连接在所述第一开口。

作为其中一种实施方式，所述第一电极内部中空形成腔体结构，所述第一开口和所述第二开口分别开设在腔体结构的两个相对面上，所述第二开口为多个且阵列设置。

作为其中一种实施方式，所述进气管与所述第一电极绝缘设置。

作为其中一种实施方式，所述进气管与所述第一开口之间连接有绝缘的连接环，所述连接环位于所述腔体内。

作为其中一种实施方式，所述连接环外表面套设有第一水冷管。

或者，所述进气管为绝缘材料制成。

作为其中一种实施方式，所述进气管外表面套设有第二水冷管。

作为其中一种实施方式，所述真空腔体的所述排气口位于第二电极所在侧。

作为其中一种实施方式，所述第一电极内设置有至少一层过滤网。

作为其中一种实施方式，所述的气相沉积设备还包括环形的铁磁体，所述铁磁体套设在所述进气管的外壁。

本发明的第一电极上具有连通进气管的第一开口和喷出气体的第二开口，通过将第一电极外接高频交流电，即可将通入的气体朝第一电极与第二电极的间隙喷出，不需要额外设计喷头，减少了零部件数量，也减小了设备体积。

附图说明

图1为本发明实施例1的气相沉积设备的结构示意图；

图2为本发明实施例2的气相沉积设备的结构示意图；

图3为本发明实施例3的气相沉积设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

参阅图1，本实施例的PECVD气相沉积设备主要包括腔体10、第一电极11、第二电极12以及进气管13，其中，腔体10上开设有进气口和排气口，第一电极11、第二电极12均位于腔体10内，且第一电极11接高频交流电(RF Power)，第二电极12接地，第一电极11设于进气口所在侧，第二电极12与第一电极11平行且相对设置；第一电极11具有朝向进气口的第一开口111和背向进气口、与第一开口111连通的第二开口112，进气管13自进气口引入并连接在第一开口111。