[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供前端结构，所述前端结构包括掩膜层及位于所述掩膜层上的第一介质层，所述第一介质层包括多个间隔设置的第一介质块，其中，所述第一介质块的获得包括以下三个子步骤：第一子步骤，在所述掩膜层上形成多个核心，第二子步骤，在各个核心两侧形成侧墙；第三子步骤，去除所述核心并保留所述侧墙，以所述侧墙作为所述第一介质块；

在所述掩膜层及所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层位于相邻所述第一介质块之间处形成凹槽；

在所述凹槽中形成第三介质层；

去除所述第二介质层位于所述第三介质层和第一介质层之间的部分，暴露出所述掩膜层；

刻蚀所述掩膜层形成开口；以及

去除所述第一介质层、剩余的第二介质层及所述第三介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为氮化物。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的材质为氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三介质层的材质为有机聚合物。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用含有碳、氢及氟的等离子体形成所述第三介质层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述凹槽中形成第三介质层包括：

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第二介质层并充满所述凹槽；

执行平坦化工艺，去除部分第三介质层和第二介质层，使得所述第一介质层、第二介质层及第三介质层上表面齐平。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述掩膜层为金属掩膜层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氮化钛或氮化钽。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述前端结构还包括金属层及位于所述金属层上的衬垫层，所述掩膜层位于所述衬垫层上。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬垫层的材质为碳化硅或正硅酸乙酯形成的氧化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一介质块的截面宽度为10nm-80nm。

12.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为10nm-80nm。

13.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽的截面宽度为10nm-80nm。

14.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述第一介质层、剩余的第二介质层及所述第三介质层。