[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括一晶体管，该晶体管包括：

一半导体基底；

一第一源/漏极侧掺杂区，包括导电型相反于该半导体基底的一下掺杂部分；

一第二源/漏极侧掺杂区，包括一第一掺杂部分从该半导体基底的一上表面向下延伸，并与该半导体基底之间具有一底PN结，其中该下掺杂部分的一底表面位置低于该底PN结，该第一掺杂部分的掺杂质浓度大于该下掺杂部分的相同导电型的掺杂质浓度；以及

一栅结构，在该第一源/漏极侧掺杂区与该第二源/漏极侧掺杂区之间的该半导体基底上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源/漏极侧掺杂区还包括一上掺杂部分在该下掺杂部分的上方，该下掺杂部分在一源极至漏极方向(source to draindirection)上不超过该上掺杂部分在该源极至漏极方向上不同位置的相对侧表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源/漏极侧掺杂区还包括一上掺杂部分在该下掺杂部分的上方，该上掺杂部分的掺杂质浓度大于具有相同导电型的该下掺杂部分的掺杂质浓度，该上掺杂部分的掺杂质浓度等于具有相同导电型的该第一掺杂部分的掺杂质浓度并具有相同的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该晶体管用作一静电放电防护装置的一N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，包括一静电放电防护装置，其中该静电放电防护装置包括：

该晶体管；以及

一电阻，电性连接该第一源/漏极侧掺杂区。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括一接触垫，电性连接该电阻与该第一源/漏极侧掺杂区之间的一节点，其中该第二源/漏极侧掺杂区接地。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该电阻包括：

一第一电阻掺杂区；以及

一第二电阻掺杂区，邻接该第一电阻掺杂区的下表面，并与该半导体基底之间具有一PN结，其中该第一电阻掺杂区的掺杂质浓度大于具有相同导电型的该第二电阻掺杂区的掺杂质浓度。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第二电阻掺杂区的横向延伸范围未超过该第一电阻掺杂区。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一导电接触，其中该第一源/漏极侧掺杂区还包括一上掺杂部分邻接在该下掺杂部分的上方，该上掺杂部分的掺杂质浓度小于具有相同导电型的该第一掺杂部分的该掺杂质浓度，该导电接触电性连接该上掺杂部分。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源/漏极侧掺杂区还包括：

一上掺杂部分，邻接在该下掺杂部分的上方，其中该上掺杂部分的掺杂质浓度小于具有相同导电型的该第一掺杂部分的该掺杂质浓度；以及

另一上掺杂部分，形成在该上掺杂部分中，该另一上掺杂部分的掺杂质浓度大于具有相同导电型的该下掺杂部分的掺杂质浓度并大于该上掺杂部分的掺杂质浓度。