[发明专利]一种晶圆切割时间计算方法及装置有效
申请号: | 201710517646.0 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107180790B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 金国庆;鲁学山;张俊龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 陈博旸 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切割 时间 计算方法 装置 | ||
1.一种晶圆切割时间计算方法,其特征在于,包括:
获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度;
根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度;
根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度,计算得到晶圆切割时间;
所述晶圆的参数信息还包括晶圆切割外切单边长度,根据下式确定所述晶圆的总切割长度:
其中,L为所述晶圆的总切割长度,D为晶圆直径,E为晶圆切割外切单边长度,n为四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数,d1x为从晶圆直径沿芯片长度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2x为从晶圆直径沿芯片长度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dnx为从晶圆直径沿芯片长度方向的n个芯片的四分之一晶圆切割长度;m为四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数,d1y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dmy为从晶圆直径沿芯片宽度方向的m个芯片的四分之一晶圆切割长度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度,包括:
确定四分之一晶圆切割长度;
根据所述四分之一晶圆切割长度,确定所述晶圆的总切割长度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述晶圆的参数信息包括晶圆直径,所述芯片的参数信息包括芯片长度、芯片宽度,所述确定四分之一晶圆切割长度,包括:
根据四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片长度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度,确定四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度;
根据四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数、从晶圆直径沿芯片宽度方向的多个芯片的四分之一晶圆切割长度,确定四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度;
根据所述四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的切割长度和所述四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的切割长度,确定四分之一晶圆切割长度。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据下式确定四分之一晶圆切割长度:
其中,n为四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数,d1x为从晶圆直径沿芯片长度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2x为从晶圆直径沿芯片长度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dnx为从晶圆直径沿芯片长度方向的n个芯片的四分之一晶圆切割长度;m为四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数,d1y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dmy为从晶圆直径沿芯片宽度方向的m个芯片的四分之一晶圆切割长度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据下式计算得到晶圆切割时间:
T=L/s
其中,T为晶圆切割时间,s为晶圆切割速度。
6.一种晶圆切割时间计算装置,其特征在于,包括:
至少一个处理器;以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;
其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器执行以下方法:
获取晶圆的参数信息、芯片的参数信息和晶圆切割速度;
根据所述晶圆的参数信息和芯片的参数信息确定所述晶圆的总切割长度;
根据所述晶圆的总切割长度和所述晶圆切割速度,计算得到晶圆切割时间;
所述晶圆的参数信息还包括晶圆切割外切单边长度,根据下式确定所述晶圆的总切割长度:
其中,L为所述晶圆的总切割长度,D为晶圆直径,E为晶圆切割外切单边长度,n为四分之一晶圆区域内沿芯片长度方向的芯片个数,d1x为从晶圆直径沿芯片长度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2x为从晶圆直径沿芯片长度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dnx为从晶圆直径沿芯片长度方向的n个芯片的四分之一晶圆切割长度;m为四分之一晶圆区域内沿芯片宽度方向的芯片个数,d1y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的一个芯片的四分之一晶圆切割长度,d2y为从晶圆直径沿芯片宽度方向的两个芯片的四分之一晶圆切割长度,dmy为从晶圆直径沿芯片宽度方向的m个芯片的四分之一晶圆切割长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造