[发明专利]一种拓扑绝缘体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710517726.6 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109208080A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赵莉民 | 申请（专利权）人： | 久耀电子科技（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B23/00;H01B13/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223121 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 拓扑绝缘体材料 制备 纳米片 蒸发源 化学气相沉积 横向生长 纳米结构 生长 缓冲层 振动峰 衬底 红移 湿法 铜箔 合成 并用 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种拓扑绝缘体材料的制备方法，包括在蒸发源Bi2Se3粉末中加入Se粉末，蒸发源中加入Se粉末提高了Bi2Se3的结晶质量，有利于Bi2Se3纳米结构的横向生长，而且保证了Se与Bi的原子比例更接近标准值1.4，通过化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯，并用湿法转移石墨烯到SiO2衬底上，利用石墨烯作为缓冲层来合成Bi2Se3。
2.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于：所述的蒸发源Bi2Se3粉末中加入Se粉末。
3.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于：所述的e与Bi的原子比例更接近标准值1.4。
4.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体材料的制备方法，其特征在于：所述的石墨烯作为缓冲层来合成Bi2Se3。
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