[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

本体区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的工作用单元；

电流检测区域，其包括形成在所述半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元；以及

中间区域，其在所述半导体基板的内部设置在所述本体区域和所述电流检测区域之间，并且包括耐压结构部，

在所述半导体基板的内部形成有：

第1导电型的基区；以及

形成在所述基区的下方的第2导电型的漂移区，

在所述本体区域、所述电流检测区域和所述中间区域，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替配置，

在所述中间区域，所述第2导电型的管柱从所述基区的下表面起向下方延伸出，

所述中间区域在与所述本体区域相邻的区域和与所述电流检测区域相邻的区域通过所述基区和所述第2导电型的管柱形成二极管部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述中间区域，所述第1导电型的管柱从与所述第2导电型的管柱共同的所述基区的下表面起向下方延伸出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间区域具有形成在所述半导体基板的上方的场板。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述本体区域和所述电流检测区域具有：

多个沟槽部，所述多个沟槽部形成为从所述半导体基板的上表面起延伸到所述基区的下侧，并且以相同的间隔配置；以及

第2导电型的高浓度区域，其形成在各沟槽部之间的区域中的所述基区的上方，

在所述中间区域未形成所述高浓度区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，与所述本体区域相邻的所述二极管部和与所述电流检测区域相邻的所述二极管部具有共同的所述基区。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

上表面侧电极，其形成在所述本体区域的至少一部分的区域的上方；以及

电流检测用电极，其形成在所述电流检测区域的至少一部分的区域的上方，

与所述本体区域相邻的所述二极管部与所述上表面侧电极连接，

与所述电流检测区域相邻的所述二极管部与所述电流检测用电极连接。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述本体区域、所述电流检测区域和所述中间区域中，所述第1导电型的管柱和所述第2导电型的管柱的杂质浓度相同。