[发明专利]半导体装置

说明书

在SJ结构的半导体装置中，将本体区域和电流检测区域进行分离并抑制耐压下降。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域；以及在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，包括耐压结构部的中间区域，在本体区域、电流检测区域和中间区域中，使第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替地配置。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等半导体装置中，已知具有作为元件进行驱动的本体区域和用于检测电流的电流检测区域的结构(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-219258号公报

发明内容

技术问题

存在将电流检测区域由场板等耐压结构包围的情况。在具有耐压结构的装置中，若在本体区域和电流检测区域形成超结结构，则存在超结结构的p型和n型的杂质的电荷平衡被破坏而使耐压下降的情况。

技术方案

本发明的一个方面，提供具备半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域。半导体装置可以具备包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域。半导体装置可以具备在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，并且包括耐压结构部的中间区域。在本体区域、电流检测区域和中间区域中，第1导电型的管柱和第2导电型的管柱可以以等间隔交替配置。

中间区域可以具有形成在半导体基板的上方的场板。中间区域可以在与本体区域相邻的区域和与电流检测区域相邻的区域形成有二极管部。

在半导体基板的内部可以形成有第1导电型的基区和在基区的下方形成的第2导电型的漂移区。本体区域和电流检测区域可以具有多个沟槽部，所述多个沟槽部形成为从所述半导体基板的上表面起延伸到所述基区的下侧，并且以相同的间隔配置。本体区域和电流检测区域可以具有形成在各沟槽部之间的区域中的基区的上方的第2导电型的高浓度区域。在中间区域可以不形成高浓度区域。

与本体区域相邻的二极管部和与电流检测区域相邻的二极管部具有共同的基区。与本体区域相邻的二极管部和与电流检测区域相邻的二极管部可以具有分离的基区。中间区域还可以在与本体区域相邻的二极管部的基区和与电流检测区域相邻的二极管部的基区之间具有分离的基区。

半导体装置可以具备在本体区域的至少一部分区域的上方形成的上表面侧电极。半导体装置可以具备在电流检测区域的至少一部分区域的上方形成的电流检测用电极。与本体区域相邻的二极管部可以与上表面侧电极连接。与电流检测区域相邻的二极管部可以与电流检测用电极连接连接。第1导电型的管柱和第2导电型的管柱在本体区域、电流检测区域和中间区域的杂质浓度可以相同。

上述发明内容并未列举出本发明的全部特征。这些特征组的亚组合(subcombination)也可以构成本发明。

附图说明

图1是本发明的实施方式的半导体装置100的上表面的示意图。

图2是表示图1中的A-A'截面的一例的图。

图3是表示图1中的A-A'截面的其它例的图。

图4是表示图1中的A-A'截面的其它例的图。

图5是将图1中的电流检测用电极12的角部附近的B部放大的示意图。

图6是将图1中的电流检测用电极12的角部附近的B部放大的示意图。

符号说明