[发明专利]一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法

权利要求书

1.一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法，其制作方法包括以下步骤：

a)选取N型单晶片（1）做原材料，片厚为460-700μm ，电阻率为50-95Ω·cm；

b)磷预沉积：通过SPM清洗后，将N型单晶片（1）装片并推进预沉积扩散炉，进行预沉积，温度为1180±10℃，时间为2±0.5小时，通过磷预扩在N型单晶片（1）的正、背面扩散入一层高浓度N+层（2）；

c)推结：将N型硅单晶片（1）装片并推进推结扩散炉，进行推结，温度为1275±10℃，时间为19±2小时，通过推结将已扩散入N型硅单晶片（1）的正、背面的N+杂质通过高温进一步扩散， N+扩散层（3）单面扩散结深为120-250μm，同时，保留原始单晶层其厚度为150-240μm；

d)粘片成棒：将N型硅单晶片（1）表面涂上适量的液态源并逐片叠放装入如图4所示的工装中，粘片工装（4）中可装入200-400片N型硅单晶片（1），将硅片压实，待蜡固化后粘接成硅片棒（5），待多线切割；

e)多线切割：将硅片棒粘接在玻璃板上，依据硅片片厚计算并设定好多线线距，调整好砂浆黏度等，开启硅片多线切割设备将硅片工艺将原料N型硅单晶片（1）沿截面长轴中心线位置一切为二，同时获得2片直径相同并一侧设有推结后高浓度N+扩散层（3）的一次成型N型硅单晶片（6）；

f) 磨抛：将一次成型N型硅单晶片（6）的原始N型面进行磨片、抛光或者酸腐蚀处理，去除量为10-30微米，形成二次成型N型硅单晶片（7），二次成型N型硅单晶片（7）可作为半成品直接用于二极管芯片的接下来的其它制程。