[发明专利]内嵌式触控有机发光二极管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，包括：

一触控电极层；以及至少一像素，该像素包括：

一阳极层，配置于一透明基板上；

一第一绝缘层，配置于该阳极层上；

一阴极层，配置于该第一绝缘层上；

一第二绝缘层，配置于该第一绝缘层以及阴极层上；

一第三绝缘层，配置于该第二绝缘层上，覆盖该触控电极层，其中，该触控电极层配置在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间，用以进行触控检测；

一第一凹坑，贯穿该第一绝缘层、该第二绝缘层以及该第三绝缘层，以暴露该阳极层；

一第二凹坑，贯穿该第二绝缘层及该第三绝缘层，以暴露该阴极层；

一空穴注入层，配置于该第一凹坑内，且配置于该阳极层上；

一空穴传输层，配置于该第一凹坑内，且配置于该空穴注入层上；

一电子注入层，配置于该第二凹坑内，且配置于该阴极层上；

一电子传输层，配置于该第二凹坑内，且配置于该电子注入层上；以及

一发光材料层，配置于该第三绝缘层上。

2.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该像素包括：

一参考电压层，配置在该第一凹坑与该第二凹坑之间，其中，该阴极层、该阳极层以及该参考电压层构成三端点有机发光二极管。

3.如权利要求2所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层与该触控电极层配置于同一平面。

4.如权利要求2所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该像素包括：

一薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源汲极以及一第二源汲极，其中，该薄膜晶体管的闸极耦接一扫描线，该薄膜晶体管的第一源汲极耦接一数据线，该薄膜晶体管的第二源汲极耦接该参考电压层；以及

一电容，包括一第一端以及一第二端，其中，该电容的第一端耦接该薄膜晶体管的第二源汲极，该电容的第二端耦接一共接电压。

5.如权利要求2所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层的电压控制透过该发光材料层由该阳极层流向该阴极层的一电流的大小与该电流流过该发光材料层的电流路径。

6.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层覆盖该第一凹坑及该第二凹坑。

7.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层是混和至少两种不同色的有机发光材料。

8.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该触控电极层是以自电容或互电容的方式，侦测一外部物体的触控位置。

9.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该触控电极层和一外部物体间产生一电容变化，并以此变化量判断该外部物体的触控位置。

10.如权利要求1所述的内嵌式触控有机发光二极管面板，其特征在于，该触控电极层间产生一电容变化，并以此判断一外部物体的触控位置。