[发明专利]内嵌式触控有机发光二极管面板及其制造方法有效
申请号: | 201710521063.5 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109216404B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 王俊富 | 申请(专利权)人: | 敦泰电子有限公司 |
主分类号: | H10K59/40 | 分类号: | H10K59/40;H10K71/00;H10K59/12;G06F3/041 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 开曼群岛KY1-1205大开曼岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 内嵌式触控 有机 发光二极管 面板 及其 制造 方法 | ||
本发明提出一种内嵌式触控有机发光二极管面板及其制造方法,该内嵌式触控有机发光二极管面板包括一触控电极层以及至少一像素,其中,该像素包括阳极层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、阴极层以及发光材料层。阳极层配置于一透明基板上。第一、第二绝缘层配置于阳极层上,具有一第一凹坑以及一第二凹坑。第一凹坑内包括空穴注入层以及空穴传输层。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。第二凹坑内包括阴极层、电子注入层以及电子传输层。阴极层配置于第二凹坑的底部上。电子注入层配置于阴极层上。电子传输层配置于该电子注入层上。发光材料层配置于空穴传输层、第三绝缘层以及电子传输层上。
技术领域
本发明是关于一种有机发光二极管的技术,更进一步来说,本发明是关于一种内嵌式触控有机发光二极管面板及其制造方法。
背景技术
一般而言,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)组件,其内部所蒸镀的有机材料层是采用垂直堆栈的结构。如图1所示,为现有技术的有机发光二极管组件的结构图。此有机发光二极管组件包括一玻璃基底100、一阳极层101、空穴注入层102、一空穴传输层103、一有机发光材料层104、一电子传输层105与一电子注入层106以及一阴极层107。图1上还标注了这些层的厚度。
此现有技术中,存在了下列缺点:(1)因为所有的有机材料厚度相当薄,约阳极与阴极之间容易短路,造成有机发光二极管显示器有点缺陷、异常大电流及生产良率降低等问题。(2)若做成底部发光(Bottom Emission)结构,受限于薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的玻璃基板的开口率低,有亮度不足问题。(3)若做成顶部发光(Top Emission)必须找到阴极的材料要有高透明度及高导电度的限制。又,阴极材料一般是金属,若做的太薄,造成阻抗过高,若做的过厚,造成发光效率不高。
另外,此传统的有机发光二极管,由于制程的限制,在制程上仅有外嵌式(On-Cell)有机发光二极管触控显示面板。且无法制作出内嵌式(In-Cell)有机发光二极管触控显示面板。请参考图1,其架构的最顶端是阴极,此阴极一般是金属电极,要用此层金属做触控共接电极(Touch Sensor)必须做出如图2中触控共接电压电极201的形状。图2是现有技术的内嵌式触控面板的触控共接电压电极的示意图。触控共接电压电极201一般来说会被被分割成多个矩形,每一个矩形有一条对应的导线连接。然而,若要对金属做出此类形状,势必需要使用曝光、显影以及蚀刻制程。然而,配置在阴极下方的有机材料怕遇到水及不耐高温,导致无法进行金属电极的分割以及导线的配置。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种内嵌式触控有机发光二极管面板及其制造方法,用以改变现有有机发光二极管的架构,达到发光效率高、提升生产良率,并且在有机发光二极管面板上制造出内嵌式(In-Cell)触控。
本发明提供一种内嵌式触控有机发光二极管面板。此内嵌式有机发光二极管面板包括至少一像素以及一触控电极层。上述像素包括一阳极层、一第一绝缘层、一阴极层、一第二绝缘层、一第一凹坑、一第二凹坑、一第三绝缘层、一空穴注入层、一空穴传输层、一电子注入层、一电子传输层以及一发光材料层。阳极层配置于一透明基板上。第一绝缘层配置于阳极层上。阴极层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于阳极层上。第三绝缘层配置于第二绝缘层上,覆盖触控电极层,其中,触控电极层配置在第二绝缘层与第三绝缘层之间,用以进行触控检测。第一凹坑贯穿第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层,以暴露该阳极层。第二凹坑贯穿第二绝缘层以及第三绝缘层,以暴露该阴极层。空穴注入层配置于第一凹坑内,且配置于阳极层上。空穴传输层配置于第一凹坑内,且配置于空穴注入层上。电子注入层配置于第二凹坑内,且配置于阴极层上。电子传输层配置于第二凹坑内,且配置于电子注入层上。发光材料层配置于空穴传输层、第三绝缘层以及电子传输层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于敦泰电子有限公司,未经敦泰电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710521063.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。