[发明专利]一种静电放电保护电路有效
申请号: | 201710521236.3 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109216341B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 黄亚平 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电保护电路,包括:触发总线组、检测总线、电源总线、接地总线、多个输入/输出接口、静电放电ESD检测及触发单元、受控耦合单元组和每一个输入/输出接口的耦合单元;
所述ESD检测及触发单元,与所述检测总线、接地总线、电源总线、和触发总线组均连接,通过检测所述检测总线上的信号判断是否发生静电事件,是则向所述触发总线组输出第一控制信号;
每一个输入/输出接口的耦合单元用于将所述输入/输出接口的信号耦合到所述检测总线上;
所述受控耦合单元组包括:每一个输入/输出接口与电源总线之间的第一受控耦合单元,每一个输入/输出接口与接地总线之间的第二受控耦合单元,以及电源总线与接地总线之间的第三受控耦合单元;
所述触发总线组与所述受控耦合单元组中的第三受控耦合单元连接,还与每一个第一受控耦合单元和/或每一个第二受控耦合单元连接;
所述受控耦合单元组用于在所述第一控制信号的控制下使受到所述触发总线组控制的各个受控耦合单元导通;
所述ESD检测及触发单元,还用于在判定未发生静电事件时,向所述触发总线组输出第二控制信号;
所述受控耦合单元组还用于在所述第二控制信号的控制下使受到所述触发总线组控制的各个受控耦合单元不导通;
所述输入/输出接口的耦合单元包括第一二极管,所述第一二极管的正极与所述输入/输出接口连接,所述第一二极管的负极与所述检测总线连接;
所述触发总线组包括第一触发总线和第二触发总线;
所述ESD检测及触发单元,用于采用以下方式向所述触发总线组输出第一控制信号:向第一触发总线输出第一低电平信号,向第二触发总线输出第一高电平信号;
所述ESD检测及触发单元,还用于采用以下方式向所述触发总线组输出第二控制信号:向第一触发总线输出第二高电平信号,向第二触发总线输出第二低电平信号;
所述第三受控耦合单元包括:N型金属-氧化物-半导体场效应管NMOS管,所述NMOS管的控制端与所述第二触发总线连接,所述NMOS管的第一端、第二端分别连接所述电源总线和接地总线,衬底端连接接地总线;
所述第一受控耦合单元包括:P型金属-氧化物-半导体场效应管PMOS管;所述PMOS管的控制端与所述第一触发总线连接,所述PMOS管的第一端、第二端分别连接所述输入/输出接口和电源总线,衬底端连接电源总线。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于:
所述第二受控耦合单元包括:N型金属-氧化物-半导体场效应管NMOS管;所述NMOS管的控制端与所述第二触发总线连接,所述NMOS管的第一端、第二端分别连接所述输入/输出接口和接地总线,衬底端连接接地总线。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于:
所述第二受控耦合单元包括:第二二极管;所述第二二极管的正极与接地总线连接,所述第二二极管的负极与输入/输出接口连接。
4.如权利要求1所述的电路,其特征在于:
所述触发总线组包括第三触发总线;
所述ESD检测及触发单元,用于采用以下方式向所述触发总线组输出第一控制信号:向第三触发总线输出第一高电平信号;
所述ESD检测及触发单元,还用于采用以下方式向所述触发总线组输出第二控制信号:向第三触发总线输出第二低电平信号;
所述第三受控耦合单元包括:N型金属-氧化物-半导体场效应管NMOS管,所述NMOS管的控制端与所述第三触发总线连接,所述NMOS管的第一端、第二端分别连接所述电源总线和接地总线,衬底端连接接地总线。
5.如权利要求4所述的电路,其特征在于:
所述第一受控耦合单元包括第三二极管,所述第三二极管的正极与所述输入/输出接口连接,所述第三二极管的负极与所述电源总线连接;
所述第二受控耦合单元包括:N型金属-氧化物-半导体场效应管NMOS管;所述NMOS管的控制端与所述第三触发总线连接,所述NMOS管的第一端、第二端分别连接所述输入/输出接口和接地总线,衬底端连接接地总线。
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