[发明专利]一种二氧化钼六方纳米片及其制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将钼源置于管式炉内的有效加热区域，抽真空，然后通入惰性-还原性气体混合气，升温后保温条件下进行反应，反应后在管式炉外部，即石英管尾部，获得二氧化钼超薄六方纳米片；所述保温的温度使得钼源为气态；所述惰性-还原性气体混合气中还原性气体的体积百分数≤50％。

2.根据权利要求1所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述钼源为钼基化合物，三氧化钼或钼酸盐。

3.根据权利要求1所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述惰性-还原性气体混合气为Ar-H₂混合气，N₂-H₂混合气，Ar-NH₃混合气或N₂-NH₃混合气。

4.根据权利要求3所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述惰性-还原性气体混合气中还原性气体的体积含量为5％～50％。

5.根据权利要求1所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述升温时惰性-还原性气体混合气流量为5～50sccm；所述保温时惰性-还原性气体混合气流量为50～200sccm。

6.根据权利要求5所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述升温时惰性-还原性气体混合气流量为10sccm；所述保温时惰性-还原性气体混合气流量为200sccm。

7.根据权利要求1所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述保温的温度为790℃～1000℃；保温的时间为30～120min；所述升温的速度为5～20℃/min。

8.根据权利要求7所述二氧化钼六方纳米片的制备方法，其特征在于：所述保温的温度为900℃。

9.一种由权利要求1～8任一项所述制备方法得到的二氧化钼六方纳米片。

10.根据权利要求9所述二氧化钼六方纳米片，其特征在于：所述二氧化钼六方纳米片宏观上为堆积蓬松的絮状，微观上具有规则的六方片，且大小在1～2μm，厚度≤10nm。