[发明专利]一种超浅结的制备方法有效
| 申请号： | 201710523885.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107369622B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 制备 方法 | ||
1.一种超浅结的制备方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一硅衬底；
步骤02：在硅衬底表面生长氧化薄膜；
步骤03：在氧化薄膜表面低温生长掺杂非晶硅层；所述低温生长掺杂非晶硅层的温度小于400°C；
步骤04：采用释放工艺去除非晶硅层，非晶硅层中的杂质成分保留在氧化薄膜表面；
步骤05：进行退火，驱使氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅衬底表层并在硅衬底表层被激活；
步骤06：去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。
2.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，采用热氧化工艺在硅衬底表面生长氧化薄膜。
3.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，所生长的氧化薄膜的厚度为100~1000埃。
4.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，掺杂非晶硅层的杂质为B、P、As或In。
5.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，释放工艺采用的工艺气体为XeF2。
6.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，退火采用的温度为600~1200°C。
7.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤06中，采用湿法腐蚀工艺去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。
8.根据权利要求1所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，在硅衬底上形成有硅鳍。
9.根据权利要求8所述的超浅结的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅鳍表层并在硅鳍表层被激活。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
