[发明专利]一种超浅结的制备方法有效
| 申请号： | 201710523885.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107369622B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 制备 方法 | ||
本发明提供了一种超浅结的制备方法，其包括：步骤01：提供一硅衬底；步骤02：在硅衬底表面生长氧化薄膜；步骤03：在氧化薄膜表面低温生长掺杂非晶硅层；步骤04：采用释放工艺去除非晶硅层，非晶硅层中的杂质成分保留在氧化薄膜表面；步骤05：高温退火，驱使氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅衬底表层并在硅衬底表层被激活；步骤06：去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。本发明打破了现有的制备超浅结需要低能量注入且均匀性较差的问题，可以在低温下制备掺杂非晶硅介质，并不需要高温，从而避免高温下杂质在掺杂非晶硅介质生长时扩散到硅衬底表层，导致超浅结形成较难的问题。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种超浅结的制备方法。
背景技术
随着高K介质材料、金属栅极等应用，对于源漏延伸区的结深缩小的需求越发迫切。随着半导体技术的工艺节点的不断缩小，需要进一步缩小超浅结的结深。
为了缩小超浅结的结深，需要离子注入大角度和低能量的高要求，而现有的工艺技术实现上述要求较为困难，并且超浅结的均匀性较差。并且，现有的超浅结使用掺杂介质进行掺杂，然而，掺杂介质生长时需要较高的温度，对硅衬底表面产生氧化以及掺杂介质的扩散具有重要影响，不易形成浅结。
因此，如何能够缩小超浅结的结深是业界急需解决的问题。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种超浅结的制备方法，进一步缩小超浅结的结深。
为了达到上述目的，本发明提供了一种超浅结的制备方法，其包括：
步骤01：提供一硅衬底；
步骤02：在硅衬底表面生长氧化薄膜；
步骤03：在氧化薄膜表面低温生长掺杂非晶硅层；
步骤04：采用释放工艺去除非晶硅层，非晶硅层中的杂质成分保留在氧化薄膜表面；
步骤05：进行退火，驱使氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅衬底表层并在硅衬底表层被激活；
步骤06：去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。
优选地，所述步骤02中，采用热氧化工艺在硅衬底表面生长氧化薄膜。
优选地，所述步骤02中，所生长的氧化薄膜的厚度为100～1000埃。
优选地，所述步骤03中，低温生长掺杂非晶硅层的温度小于400℃。
优选地，所述步骤03中，掺杂非晶硅层的杂质为B、P、As或In。
优选地，所述步骤04中，释放工艺采用的工艺气体为XeF2。
优选地，所述步骤05中，退火采用的温度为600～1200℃。
优选地，所述步骤06中，采用湿法腐蚀工艺去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。
优选地，所述步骤01中，在硅衬底上形成有硅鳍。
优选地，所述步骤05中，氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅鳍表层并在硅鳍表层被激活。
本发明的超浅结的制备方法，打破了现有的制备超浅结需要低能量注入且均匀性较差的问题，可以在低温下制备掺杂非晶硅介质，并不需要高温，从而避免高温下杂质在掺杂非晶硅介质生长时扩散到硅衬底表层，导致超浅结形成较难的问题。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的超浅结的制备方法的流程示意图
图2～7为图1的超浅结的制备方法的各步骤示意图
具体实施方式
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
