[发明专利]半导体存储器装置

说明书

本发明提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被设置在存储器单元阵列下方。外围电路可以包括：位线接触区域，其电联接到存储器单元阵列；第一页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第一侧部分上；以及第二页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第二侧部分上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月11日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0150415的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

半导体装置，特别是半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

即使当电源供给被中断时，非易失性存储器装置也可以保持其中存储的数据，尽管读取速度和写入速度相对较低。因此，当需要存储不论是否供给电源都必须被保持的数据时，使用非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪速存储器可以被分类为NOR型存储器和NAND型存储器。

闪速存储器具有RAM类型和ROM类型两者的优点。在RAM中，数据是可编程的和可擦除的。在ROM中，数据可以被存储在其中并且即使在电源中断时也被保留。这种闪速存储器可以广泛地用作诸如数码相机、个人数字助理(PDA)和MP3播放器的便携式电子装置的存储介质。

闪速存储器装置可以被分类为其中串水平地形成在半导体衬底上的二维半导体装置和其中串垂直地形成在半导体衬底上的三维半导体装置。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种半导体存储器装置，其可以提高半导体存储器装置的集成度并且还可以确保导线(wire)之间的距离。

本公开的实施例可以提供半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被设置在存储器单元阵列下方。外围电路可以包括：位线接触区域，其电联接到存储器单元阵列；第一页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第一侧部分上；以及第二页面缓冲器组，其被设置在位线接触区域的第二侧部分上。

本公开的实施例可以提供半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：外围电路，其被设置在形成在半导体衬底上的外围电路区域中；以及存储器单元阵列，其被设置在外围电路区域上方。外围电路可以包括：位线接触区域，其电联接到存储器单元阵列；第一页面缓冲器组和第二页面缓冲器组，其分别设置在位线接触区域的相对侧上；以及第一列选择电路和第二列选择电路，其中第一列选择电路形成在邻近第一页面缓冲器组的区域中，第二列选择电路形成在邻近第二页面缓冲器组的区域中。

附图说明

现在将参照附图在下文中更全面地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式被实施并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完全的，并且将向本领域技术人员完全传达示例实施例的范围。

在附图中，为了说明的清楚起见，尺寸可能被放大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是这两个元件之间仅有的元件，或也可存在一个或多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。

图1是示出根据本公开的实施例的半导体存储器装置的框图；

图2是示出用于描述存储器单元阵列和外围电路的布置的半导体存储器装置的配置的视图；