[发明专利]像素读出电路及驱动方法、X射线探测器有效
申请号: | 201710525841.8 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109218638B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 刘晓惠;马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 读出 电路 驱动 方法 射线 探测器 | ||
1.一种像素读出电路,其特征在于,包括:复位模块、信号生成模块、信号放大晶体管、以及开关模块;
所述复位模块,分别连接所述信号生成模块的第一端、初始信号端、以及第一信号端,用于在所述初始信号端的控制下,将所述第一信号端的信号输入至所述信号生成模块的第一端,对所述信号生成模块进行初始化;
所述信号生成模块的第一端还连接所述信号放大晶体管的栅极,第二端连接第二信号端;用于在光照条件下产生并存储电荷;
所述信号放大晶体管的第一极连接第三信号端,第二极连接所述开关模块;用于在所述信号生成模块产生的电荷的控制下开启,并放大所述信号生成模块产生的电荷;
所述开关模块,还连接扫描信号端、以及信号读取端,用于在所述扫描信号端的控制下,将经所述信号放大晶体管放大后的电荷传输至所述信号读取端;
所述信号放大晶体管为光敏晶体管;
所述信号生成模块包括存储电容和光敏二极管;
所述存储电容的一端连接所述信号放大晶体管的栅极,另一端连接所述第二信号端;
所述光敏二极管的阳极连接所述信号放大晶体管的栅极,阴极连接所述第二信号端。
2.根据权利要求1所述的像素读出电路,其特征在于,所述信号放大晶体管为P型光敏晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素读出电路,其特征在于,所述复位模块包括第一薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述初始信号端,第一极连接所述第一信号端,第二极连接所述信号生成模块。
4.根据权利要求1所述的像素读出电路,其特征在于,所述开关模块包括第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述扫描信号端,第一极连接所述信号放大晶体管,第二极连接所述信号读取端。
5.根据权利要求4所述的像素读出电路,其特征在于,所述第二薄膜晶体管为光敏晶体管。
6.根据权利要求4或5所述的像素读出电路,其特征在于,所述第二薄膜晶体管为P型晶体管。
7.根据权利要求1所述的像素读出电路,其特征在于,所述第二信号端为高电平信号端,所述第三信号端为低电平信号端。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的像素读出电路的驱动方法,其特征在于,所述方法包括:
初始化阶段,复位模块在初始信号端的控制下,将第一信号端的信号输入至信号生成模块的第一端,对所述信号生成模块进行初始化;
光感阶段,所述信号生成模块在光照条件下产生并存储电荷;
信号读出阶段,信号放大晶体管在所述信号生成模块产生的电荷的控制下开启,开关模块在扫描信号端的控制下开启,所述信号放大晶体管对所述信号生成模块产生的电荷进行放大并经所述开关模块传输至信号读取端。
9.根据权利要求8所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:
初始化阶段,所述初始信号端控制第一薄膜晶体管开启,将所述第一信号端的信号经所述第一薄膜晶体管输入至所述信号生成模块,对所述信号生成模块进行初始化。
10.根据权利要求8所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:
光感阶段,光敏二极管在光照条件下产生电荷,存储电容对所述光敏二极管产生的电荷进行存储;
所述信号放大晶体管在光照条件下,产生阈值电压的漂移。
11.根据权利要求8所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:
信号读出阶段,所述信号放大晶体管在所述信号生成模块产生的电荷的控制下开启,第二薄膜晶体管在所述扫描信号端的控制下开启,所述信号放大晶体管对所述信号生成模块产生的电荷进行放大并经所述第二薄膜晶体管传输至所述信号读取端。
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