[发明专利]像素读出电路及驱动方法、X射线探测器有效
申请号: | 201710525841.8 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109218638B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 刘晓惠;马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378;H04N5/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 读出 电路 驱动 方法 射线 探测器 | ||
本发明的实施例提供一种像素读出电路及驱动方法、X射线像素电路、X射线探测器,涉及显示技术领域,可简化像素读出电路的结构,节省成本。像素读出电路包括:复位模块,连接信号生成模块的第一端、初始信号端、以及第一信号端,用于对信号生成模块进行初始化;信号生成模块的第一端连接信号放大晶体管的栅极,第二端连接第二信号端;用于在光照条件下产生并存储电荷;信号放大晶体管的第一极连接第三信号端,第二极连接开关模块;用于产生阈值电压的漂移;或者,用于并放大信号生成模块产生的电荷;开关模块,还连接扫描信号端、以及信号读取端,用于将经信号放大晶体管放大后的电荷传输至信号读取端。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素读出电路及驱动方法、X射线像素电路、X射线探测器。
背景技术
X射线是一种波长约为10-0.01纳米之间的超短电磁波,对应的频率在3×1016Hz到3×1019Hz之间,波粒二相性对应的能量在120eV 至120keV之间。X射线是中性高能光子流,对所辐射的物体具有超强的穿透作用以及荧光、加热、感光、电离等作用。X射线穿过物体后,因物体吸收和散射而使其强度或者相位变化,其信号变化内容与物体的材料、结构、厚度、缺陷等特性有关,因此可以通过信号检测应用于非接触式的物体内部形貌成像、成分分析中,在医疗影像检测、工业生产安全检测、天文探测、高能粒子检测、环境安全探测等多个领域中得到广泛应用。
现有技术中用于检测X射线的方式是:X射线探测器包括多个像素单元,通过位于像素单元中的像素读出电路对每个像素单元中的像素信号进行读取后,将该像素信号提供至图像处理电路进行处理,以得到探测结果。其中,现有的像素读出电路,如图1所示,光敏二极管D产生的电荷较少,使得现有技术中的像素读出电路需要在终端加一个放大器AMP将像素信号放大,才能传输到终端输出端被识别,结构复杂,成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素读出电路及驱动方法、X射线像素电路、X射线探测器,可简化像素读出电路的结构,节省成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种像素读出电路,包括:复位模块、信号生成模块、信号放大晶体管、以及开关模块;所述复位模块,分别连接所述信号生成模块的第一端、初始信号端、以及第一信号端,用于在所述初始信号端的控制下,将所述第一信号端的信号输入至所述信号生成模块的第一端,对所述信号生成模块进行初始化;所述信号生成模块的第一端还连接所述信号放大晶体管的栅极,第二端连接第二信号端;用于在光照条件下产生并存储电荷;所述信号放大晶体管的第一极连接第三信号端,第二极连接所述开关模块;用于在所述信号生成模块产生的电荷的控制下开启,并放大所述信号生成模块产生的电荷;所述开关模块,还连接扫描信号端、以及信号读取端,用于在所述扫描信号端的控制下,将经所述信号放大晶体管放大后的电荷传输至所述信号读取端。
优选的,所述信号放大晶体管为光敏晶体管。
优选的,所述信号放大晶体管为P型光敏晶体管。
优选的,所述信号生成模块包括存储电容和光敏二极管;所述存储电容的一端连接所述信号放大晶体管的栅极,另一端连接所述第二信号端;所述光敏二极管的阳极连接所述信号放大晶体管的栅极,阴极连接所述第二信号端。
优选的,所述复位模块包括第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述初始信号端,第一极连接所述第一信号端,第二极连接所述信号生成模块。
优选的,所述第一薄膜晶体管为P型晶体管。
优选的,所述开关模块包括第二薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述扫描信号端,第一极连接所述信号放大晶体管,第二极连接所述信号读取端。
优选的,所述第二薄膜晶体管为光敏晶体管。
进一步优选的,所述第二薄膜晶体管为P型晶体管。
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