[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在相对于所述衬底的竖直方向上依次叠置在所述衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，所述沟道层包括靠近其外周表面的沟道区以及在所述沟道区内侧的体区；

绕所述沟道层的外周形成的栅堆叠；以及

体接触部，用于向所述沟道层中的所述体区施加偏置或改变所述半导体器件的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述体区包括掺杂的阱区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阱区相对于所述沟道区形成超陡阱结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述体区与所述沟道区之间存在掺杂界面或晶体界面。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述体区、所述沟道区以及所述栅堆叠中的栅介质层形成量子阱结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道层包括第一半导体材料和绕所述第一半导体材料外周形成的第二半导体材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述体区基本上形成在所述第一半导体材料中，且所述沟道区基本上形成在所述第二半导体材料中。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料的外周相对于所述第一源/漏层、所述第二源/漏层的外周凹入，且所述第二半导体材料形成在所述第一半导体材料的外周相对于所述第一源/漏层、所述第二源/漏层的外周形成的凹入中，沿着所述第一半导体材料的外周以及所述第一源/漏层的上表面和所述第二源/漏层的下表面延伸。

9.据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料形成为绕所述第一半导体材料外周、层厚为2-10nm的薄层。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料相对于所述第一源/漏层、所述第二源/漏层和所述第一半导体材料中至少之一形成异质结。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

对于n型器件，器件开态下在所述第二半导体材料中的电子浓度大于在所述第一半导体材料的电子浓度；

对于p型器件，器件开态下在所述第二半导体材料中的空穴浓度大于在所述第一半导体材料的空穴浓度。

12.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

对于n型器件，所述第二半导体材料中的导带能级低于所述第一半导体材料的导带能级；

对于p型器件，所述第二半导体材料中的价带能级高于所述第一半导体材料的价带能级。

13.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述第二半导体材料包括IV族半导体材料或III-V族化合物半导体；

所述第一半导体材料包括IV族半导体材料或III-V族化合物半导体。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

所述第一源/漏层和所述第二源/漏层包括IV族半导体材料或III-V族化合物半导体。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料包括SiGe，所述第二半导体材料也包括SiGe，其中所述第二半导体材料中的Ge浓度从靠近所述第一半导体材料一侧的表面向着远离所述第一半导体材料一侧的表面逐渐增大，或者第一半导体材料包括SiGe，第二半导体材料也包括SiGe，其中第二半导体材料中的Ge浓度从靠近第一半导体材料一侧的表面向着远离第一半导体材料一侧的表面逐渐减小。