[发明专利]电子浆料及其制备方法、厚膜电路芯片热源及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备大功率厚膜集成电路用电子浆料，尤其是一种制备厚膜电路芯片热源用电子浆料。

背景技术

在智能电热源领域，厚膜电路用电子浆料通常划分为低温电子浆料：65-250℃、中温电子浆料：250-600℃和高温电子浆料：600-1200℃。高温热源600-1200℃厚膜电路，是智能热源技术的高端水平。低温热源应用范围较广，中温热源应用的频率不高，高温热源由于技术复杂、难度大，多为特种应用。

尽管最近十多年来，我国通用电子浆料发展迅速，但主要以导体浆料(如银浆、铝浆)为主，其中银浆中的正银多由国外进口。也即目前我国尚不能较好地满足通用电子浆料的应用需求，专用电子浆料的应用需求更是难以满足。

上述缺陷是本领域技术人员期望克服的。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了解决现有技术的上述问题，本发明提供一种制备厚膜电路用电子浆料，其将微量的石墨烯或石墨烯类颗粒分散到厚膜电路层及厚膜介质层中，在厚膜电路层及厚膜介质层中形成的碳微纳米材料微细网格数量级地提高了厚膜电路的电性能、热性能、化学性能及在厚度方向上热界面的导热率，大幅提高了大功率厚膜集成电路的散热性能和机械强度。

(二)技术方案

第一方面，为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：

一种制备厚膜电路用电子浆料，包括固相组分及有机溶剂载体；其中，固相组分和有机溶剂载体的重量比为65～90：35～10，所述固相组分包含石墨烯或氧化石墨烯以及至少一种稀土氧化物。

具体地，所述电子浆料中，所述固相组分包括功能相粉体和微晶玻璃粉体，所述功能相粉体中包含所述石墨烯或所述氧化石墨烯，所述石墨烯为石墨烯粉体，所述氧化石墨烯为氧化石墨烯粉体；所述微晶玻璃粉体中包含所述至少一种稀土氧化物中的一种。

具体地，所述电子浆料中，所述微晶玻璃粉体中的稀土氧化物为La₂O₃。

具体地，所述电子浆料中，所述功能相粉体中包含所述石墨烯粉体和所述至少一种稀土氧化物中的一种或多种。

优选地，所述电子浆料中，所述功能相粉体中的稀土氧化物为RuO₂和Y₂O₃。

具体地，所述电子浆料中，所述功能相粉体的粒径小于3μm。

具体地，所述电子浆料中，所述有机溶剂载体由主溶剂、增稠剂、表面活性剂、触变剂、胶凝剂、稀释剂中的一种或多种混合制备而成，其粘度为150-280mPas。

优选地，所述电子浆料中，所述电子浆料的粘度为168～289mPas。

作为本发明的一个实施例，所述电子浆料中，

所述固相组分和所述有机溶剂载体的重量比为65～85：35～15；

所述功能相粉体和所述微晶玻璃粉体的重量比为75～55：25～45；

所述功能相粉体中包括银粉体、钯粉体和石墨烯粉体，其重量比为：75～79：15～40.5：10～0.5；

所述微晶玻璃粉体中包含以下氧化物组分：SiO₂、Al₂O₃、CaO、Bi₂O₃、B₂O₃和La₂O₃，其重量比为：20～60：5～35：10～35：10～30：1～10：0.3～8。

作为本发明的另一实施例，所述电子浆料中，

所述固相组分和所述有机溶剂载体的重量比为65～85：35～15；

所述功能相粉体和所述微晶玻璃粉体的重量比为75～55：25～45；

所述功能相粉体中包括RuO₂粉体、Y₂O₃粉体、CuO粉体和石墨烯粉体，其重量比为75～59：15～40.5：10～0.5：1～10；

所述微晶玻璃粉体中包含以下氧化物组分：SiO₂、Al₂O₃、CaO、Bi₂O₃、B₂O₃和La₂O₃，其重量比为：20～60：5～35：10～35：10～30：1～10：0.3～8。

作为本发明的又一实施例，所述电子浆料中，