[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构和介质层，所述栅极结构侧壁表面具有侧墙，所述栅极结构两侧的衬底中具有源漏掺杂区，所述介质层位于所述衬底上，且覆盖所述侧墙侧壁；

在所述介质层中形成源漏插塞，所述源漏插塞连接所述源漏掺杂区；

去除至少部分所述侧墙，在所述介质层中形成隔离开口；

在所述隔离开口中形成隔离结构，所述隔离结构的介电常数小于所述侧墙的介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅，所述隔离结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅或低k介质材料；所述低k介质材料包括：碳掺杂的氧化硅、氮掺杂的碳化硅、氟硅玻璃、聚酰亚胺多孔材料、聚乙烯多孔材料、含氟聚合物多孔材料、倍半硅氧烷基多孔复合材料或沸石聚酰亚胺复合多孔材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述侧墙的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括：位于所述隔离开口侧壁和底部表面的保型层；覆盖所述保型层的隔离材料层；

形成所述隔离结构的步骤包括：在所述隔离开口侧壁和底部表面形成保型层；形成所述保型层之后，在所述隔离开口中形成隔离材料层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保型层的工艺包括原子层沉积工艺。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保型层与所述隔离材料层之间具有空隙。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离材料层的工艺包括化学气相沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成源漏插塞之前，去除部分栅极结构，形成栅极开口；在所述栅极开口中形成隔离结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极开口中的隔离结构上形成金属层。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成源漏插塞之后，在所述栅极开口中形成隔离结构；所述形成方法还包括：形成所述源漏插塞之前，在所述栅极开口中形成保护层；形成所述源漏插塞之后，形成所述隔离结构之前，去除所述保护层。

11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成源漏插塞之前，在所述栅极开口中形成隔离结构。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏插塞之后，去除所述侧墙。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏插塞之前，去除所述侧墙；形成所述源漏插塞之前，在所述隔离开口中形成隔离结构。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或低k介质材料；所述低k介质材料包括：碳掺杂的氧化硅、氮掺杂的碳化硅、氟硅玻璃、聚酰亚胺多孔材料、聚乙烯多孔材料、含氟聚合物多孔材料、倍半硅氧烷基多孔复合材料或沸石聚酰亚胺复合多孔材料；

所述隔离结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅、碳掺杂的氧化硅或低k介质材料；所述低k介质材料包括：氮掺杂的碳化硅、氟硅玻璃、聚酰亚胺多孔材料、聚乙烯多孔材料、含氟聚合物多孔材料、倍半硅氧烷基多孔复合材料或沸石聚酰亚胺复合多孔材料；

所述介质层与所述隔离结构的材料不相同。