[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

依次层叠设置在衬底基板上的栅极和栅绝缘层；

所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

所述源漏极远离所述衬底基板的一侧设置有有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极；

所述有源层包括有源层图案和欧姆接触图案；

所述欧姆接触图案包括：源极接触图案和漏极接触图案，所述源极接触图案分别与所述源极和所述有源层图案接触，所述漏极接触图案分别与所述漏极和所述有源层图案接触，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触，所述漏极接触图案兼作像素电极；

所述有源层远离所述衬底基板的一侧还设置有绝缘层，所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影重合，所述绝缘层与所述有源层接触的部分不选用氮化硅材料。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层由铟镓锌氧化物IGZO制成，所述有源层中的欧姆接触图案中掺杂有氢离子。

3.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

在所述源漏极远离所述衬底基板的一侧形成有源薄膜层；

对所述有源薄膜层的目标区域进行离子掺杂，使得所述有源薄膜层的目标区域形成为欧姆接触图案，所述目标区域之外的区域形成为有源层图案，其中，所述目标区域之外的区域在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述欧姆接触图案中与所述源极和所述有源层图案接触的部分为源极接触图案，所述欧姆接触图案中与所述漏极和所述有源层图案接触的部分为漏极接触图案，所述漏极接触图案兼作像素电极，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触，所述有源薄膜层连接所述源极和所述漏极；

在形成有所述有源薄膜层的衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影重合，所述绝缘层与所述有源薄膜层接触的部分不选用氮化硅材料。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述有源薄膜层由铟镓锌氧化物IGZO制成，所述对所述有源薄膜层的目标区域进行离子掺杂，包括：

向所述有源薄膜层的目标区域中掺杂氢离子。

5.一种显示基板，其特征在于，包括：权利要求1或2所述的薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：公共电极；

所述薄膜晶体管中的有源层包括：有源层图案和欧姆接触图案，所述欧姆接触图案包括：源极接触图案和漏极接触图案；

所述漏极接触图案与所述公共电极共同驱动所述显示基板中的像素发光。