[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括：依次层叠设置在衬底基板上的栅极和栅绝缘层；所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源漏极远离所述衬底基板的一侧设置有有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极。本发明避免了在形成源漏极的过程中有源层与刻蚀液的接触，不会使有源层中的导电沟道在该过程中受损，避免了对TFT的驱动性能的影响。本发明用于显示图像。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板。

背景技术

薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)包括依次层叠设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极和绝缘层等层级结构，其中，源漏极包括源极和漏极。

采用相关技术在制造薄膜晶体管时，在形成有源层后，还要在形成有有源层的衬底基板上形成一整层的金属膜层，然后采用湿法刻蚀工艺对该整层的金属膜层进行刻蚀，以形成具有一定图案的源漏极。

刻蚀过程中，与刻蚀液接触的有源层部分容易被腐蚀，导致有源层中的导电沟道受损，进而影响TFT的驱动性能。

发明内容

为了解决相关技术中在通过刻蚀的方式形成TFT中的源漏极的过程中，与刻蚀液接触的有源层部分容易被腐蚀，导致有源层中的导电沟道受损，进而影响TFT的驱动性能的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：

依次层叠设置在衬底基板上的栅极和栅绝缘层；

所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

所述源漏极远离所述衬底基板的一侧设置有有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极。

可选地，所述有源层包括：有源层图案和欧姆接触图案；

所述欧姆接触图案包括：源极接触图案和漏极接触图案，所述源极接触图案分别与所述源极和所述有源层图案接触，所述漏极接触图案分别与所述漏极和所述有源层图案接触，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触。

可选地，所述有源层由铟镓锌氧化物IGZO制成，所述有源层中的欧姆接触图案中掺杂有氢离子。

可选地，所述有源层远离所述衬底基板的一侧还设置有绝缘层，所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影重合。

第二方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

在所述源漏极远离所述衬底基板的一侧形成有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极。

可选地，所述在所述源漏极远离所述衬底基板的一侧形成有源层，包括：

在所述源漏极远离所述衬底基板的一侧形成有源薄膜层；

对所述有源薄膜层的目标区域进行离子掺杂，使得所述有源薄膜层的目标区域形成为欧姆接触图案，所述目标区域之外的区域形成为有源层图案，其中，所述目标区域之外的区域在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述欧姆接触图案中与所述源极和所述有源层图案接触的部分为源极接触图案，所述欧姆接触图案中与所述漏极和所述有源层图案接触的部分为漏极接触图案，所述源极接触图案与所述漏极接触图案不接触。