[发明专利]一种V-Si金属间化合物的制备方法有效
| 申请号： | 201710535640.6 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107245620B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈道明;刘侠和;苏斌;邬军;李文鹏;曲凤盛;胡旭峰 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C22C27/02 | 分类号： | C22C27/02;C22C1/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 李兴洲 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 金属 化合物 制备 方法 | ||
1.一种V-Si金属间化合物的制备方法，其特征在于包括两次磁悬浮熔炼，第一次为惰性气体保护熔炼，第二次为真空熔炼；
惰性气体保护熔炼的具体过程为：在磁悬浮熔炼炉内的水冷铜坩埚中放入钒和硅原料后，将磁悬浮熔炼炉抽真空，然后持续通入高纯Ar气，在Ar气保护下升温熔炼使原料完全熔化，待熔体驼峰形成后再将磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温，从而得到V-Si初级锭；
所述钒和硅原料为纯度大于99.9％的锭、块、片或颗粒，钒和硅原料的质量百分比为2：3～4：1，在水冷铜坩埚内由底向上依次为硅原料、钒原料；惰性气体保护熔炼的过程中，在Ar气保护下先在加热功率20-50kW条件下预热3-8min，然后在加热功率100-120kW条件下使原料完全熔化，熔体驼峰形成后先保温10-20min再停止加热使熔体随磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温；
真空熔炼的具体过程为：将V-Si初级锭翻转180°后，再次对磁悬浮熔炼炉抽真空，然后升温使V-Si初级锭完全熔化，待熔体驼峰形成后再将磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温，从而得到所要获得的V-Si金属间化合物；
真空熔炼的过程中，直接在加热功率80-100kW条件下使V-Si初级锭完全熔化，熔体驼峰形成后先保温5-10min再停止加热使熔体随磁悬浮熔炼炉降温冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种V-Si金属间化合物的制备方法，其特征在于：惰性气体保护熔炼和真空熔炼的过程中，通入Ar气之前，均需要抽真空至2*10-2Pa。
3.根据权利要求1或2所述的一种V-Si金属间化合物的制备方法，其特征在于所获得的V-Si金属间化合物的化学组成为：Si的质量百分数为12％≤Si≤54％，其余为V及质量百分数最多为0.1％的不可避免杂质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所，未经中国工程物理研究院材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710535640.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
