[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括PMOS区，所述基底上形成有栅极结构、所述PMOS区的栅极结构两侧基底内形成有P型掺杂外延层、所述P型掺杂外延层表面形成有硅层、所述基底上形成有覆盖所述栅极结构顶部的层间介质层；

在所述PMOS区栅极结构两侧的层间介质层内形成露出所述硅层的接触开口；

对所述接触开口露出的硅层进行金属分凝肖特基掺杂处理；

在所述金属分凝肖特基掺杂处理后，在所述接触开口的底部形成金属层；

通过退火处理，使所述金属层与所述硅层反应，形成金属硅化物层；

形成所述金属硅化物层后，在所述接触开口内形成接触孔插塞；

其中，所述金属分凝肖特基掺杂处理的掺杂离子，会从所述金属硅化物层中析出，并分凝于所述金属硅化物层和所述P型掺杂外延层的界面处；

形成露出所述硅层的接触开口后，进行所述金属分凝肖特基掺杂处理之前，还包括步骤：对所述接触开口露出的硅层进行第一预非晶化处理。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所形成的硅层的厚度为3nm至9nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成露出所述硅层的接触开口后，进行金属分凝肖特基掺杂处理之前，还包括步骤：刻蚀去除所述接触开口露出的部分厚度的所述硅层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述接触开口露出的部分厚度的所述硅层后，剩余硅层的厚度为1nm至5nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属分凝肖特基掺杂处理的掺杂离子为Pt离子、Co离子或Ni离子。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属分凝肖特基掺杂处理的工艺为离子注入工艺，所述离子注入工艺的参数包括：掺杂离子为Pt离子，注入能量为5KeV至15KeV，注入剂量为1E13atom/cm²至1E15atom/cm²。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属分凝肖特基掺杂处理的掺杂深度占所述硅层厚度的比例为1/3至2/3。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用同一光罩，进行所述第一预非晶化处理和所述金属分凝肖特基掺杂处理。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一预非晶化处理的工艺为P型杂质分凝肖特基掺杂工艺，所述P型杂质分凝肖特基掺杂工艺的掺杂离子包括B、Ga和In中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述P型杂质分凝肖特基掺杂工艺为离子注入工艺，所述P型杂质分凝肖特基掺杂工艺的掺杂离子为B；

所述离子注入工艺的参数包括：注入的离子源为B，注入能量为0.5KeV至5KeV，注入剂量为1E14atom/cm²至5E15atom/cm²；

或者，注入的离子源为BF₂，注入能量为1.5KeV至15KeV，注入剂量为1E14atom/cm²至5E15atom/cm²。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括NMOS区，所述NMOS区的栅极结构两侧基底内形成有N型掺杂外延层；

所述接触开口还形成于所述NMOS区栅极结构两侧的层间介质层内，且露出所述N型掺杂外延层。