[发明专利]埋入式字符线和鳍状结构上栅极的制作方法在审
| 申请号： | 201710537348.8 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216433A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 詹电针;林哲平;吕佐文;吴劲苇;王育群;詹书俨 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋入式 字符线 沉积制作工艺 鳍状结构 制作 栅极介电层 导电层填 硅材料层 基底 | ||
1.一种埋入式字符线的制作方法，包含：
形成一沟槽于一基底；
进行一沉积制作工艺，以在该沟槽的内侧的一侧壁和一底部形成一硅材料层；
在该沉积制作工艺后，在该沟槽内形成一栅极介电层；以及
形成一导电层填入该沟槽。
2.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中该沉积制作工艺包含原子层沉积、化学气相沉积或物理气相沉积。
3.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中在形成该栅极介电层时，只有部分的该硅材料层被转化成该栅极介电层。
4.如权利要求3所述的埋入式字符线的制作方法，其中在形成该栅极介电层时，该硅材料层完全被转化成该栅极介电层。
5.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中该硅材料层的厚度介于5至10埃。
6.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中该硅材料层为硅。
7.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中该沉积制作工艺的温度介于摄氏500至600度。
8.如权利要求1所述的埋入式字符线的制作方法，其中该栅极介电层为高介电常数材料层。
9.一种鳍状结构上的栅极制作方法，包含：
提供一基底，一鳍状结构由该基底延伸，一虚置栅极结构横跨并且接触该鳍状结构；
移除该虚置栅极结构，曝露出该鳍状结构；
进行一沉积制作工艺，形成一硅材料层覆盖该鳍状结构的一侧壁和一顶部；
在该沉积制作工艺后，形成一栅极介电层覆盖该鳍状结构；以及
形成一导电层横跨该鳍状结构。
10.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中该沉积制作工艺包含原子层沉积、化学气相沉积或物理气相沉积。
11.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中在形成该栅极介电层时，只有部分的该硅材料层被转化成该栅极介电层。
12.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中在形成该栅极介电层时，该硅材料层完全被转化成该栅极介电层。
13.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中该硅材料层的厚度介于5至10埃。
14.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中该硅材料层为硅。
15.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中该沉积制作工艺的温度介于摄氏500至600度。
16.如权利要求9所述的鳍状结构上的栅极制作方法，其中该栅极介电层为高介电常数材料层。
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