[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

阻变结构，所述阻变结构包括：

阴极，所述阴极与像素电极电连接；

阳极，所述阳极与薄膜晶体管的漏极电连接；

阻变层，所述阻变层设置于所述阴极和所述阳极之间，且与所述阴极和所述阳极电连接；

其中，当所述阳极的电压高于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈低阻态，当所述阳极的电压低于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈高阻态。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述阴极和阳极的材料各自独立的选自Pt、Ag、Pd、W、Mo、Ti、Al、Cu、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化钇钡铜、LaAlO₃、SrRuO₃和多晶硅。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极复用为所述阳极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括：

栅极；

所述阴极，所述阴极与所述栅极同层设置；

栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述阴极；

所述像素电极，所述像素电极设置在所述栅绝缘层远离所述阴极的一侧，且贯穿所述栅绝缘层与所述阴极电连接；

所述阻变层，所述阻变层设置在所述阴极靠近所述栅绝缘层的一侧，且嵌设在所述栅绝缘层中；

有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；

欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述有源层远离所述栅极的一侧；

源极和所述漏极，所述源极和漏极设置在所述欧姆接触层远离所述栅极的一侧，且所述漏极与所述阻变层电连接，复用为所述阳极；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述像素电极、栅绝缘层、漏极、有源层和源极远离所述栅极的一侧；

公共电极，所述公共电极设置在所述绝缘层远离所述阴极的一侧。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述阻变层的材料包括：钙钛矿氧化物、过渡金属氧化物、固态电解质材料、有机材料、非晶硅、L-Si和Ge₂Sb_2+xTe₅，优选非晶硅和过渡金属氧化物。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。

8.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括形成阻变结构的步骤，其中，形成所述阻变结构的步骤包括：

形成阴极，所述阴极与所述像素电极电连接；

形成阻变层，所述阻变层与所述阴极电连接；

形成阳极，所述阳极与所述阻变层和薄膜晶体管的漏极电连接，

其中，当所述阳极的电压高于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈低阻态，当阳极的电压低于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈高阻态。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阴极与所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阻变层与所述薄膜晶体管的有源层通过一次构图工艺形成。