[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

薄膜场效应晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)已成为现代生活不可或缺的重要部分。随着科技的进步，人们对显示的需求已从之前的“看”逐渐变为“互动”，随之而来的便是高品质及新技术的提出如4K、8K高分辨率、Full In Cell触控技术等。然而，高新的技术带来的是对于面板设计更大的挑战。高分辨率产品提高了显示区负载、Full In Cell占用了部分充电时间，这些新技术对于面板的驱动充电能力以及充电完成后的像素保持能力有着很高的要求。若使用这些新技术且保证良好的显示功能，我们应尽量提高像素的保持能力即减小漏电。而对于a-Si器件而言，其开关比约10⁵～10⁶，若存在工艺波动或者设计大的沟道宽度，泄漏电流将会更大。

因而，目前TFT-LCD相关技术仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种可防止TFT器件因存在工艺波动以及设计大的沟道宽度或小的沟道长度而导致的泄漏电流，防止TFT本身存在的泄漏电流、提高像素的保持能力，保证了显示面板画面的质量或者改善Crosstalk(串扰)、Flicker(闪烁)、Flicker Shift(闪烁漂移)等不良的阵列基板。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板包括：阻变结构，所述阻变结构包括：阴极，所述阴极与所述像素电极电连接；阳极，所述阳极与薄膜晶体管的漏极电连接；阻变层，所述阻变层设置于所述阴极和所述阳极之间，且与所述阴极和所述阳极电连接；其中，当所述阳极的电压高于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈低阻态，当所述阳极的电压低于所述阴极的电压时，所述阻变结构呈高阻态。发明人发现，引入的阻变结构开关比可达10⁶～10⁷以上，一方面可防止TFT器件因存在工艺波动以及设计大的沟道宽度或小的沟道长度而导致的泄漏电流，另一方面由于阻变结构开关比较a-Si TFT大1～2个数量级，因此也可进一步防止TFT本身存在的泄漏电流。泄漏电流的降低提高了像素的保持能力，保证了画面的质量。此外，降低泄漏电流也可改善Crosstalk、Flicker、Flicker Shift等不良。

根据本发明的实施例，形成所述阴极和阳极的材料各自独立的选自Pt、Ag、Pd、W、Mo、Ti、Al、Cu、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化钇钡铜、LaAlO₃、SrRuO₃和多晶硅。

根据本发明的实施例，所述阴极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。

根据本发明的实施例，所述漏极构成所述阳极。

根据本发明的实施例，形成所述阻变层的材料包括：钙钛矿氧化物、过渡金属氧化物、固态电解质材料、有机材料、非晶硅、L-Si和Ge₂Sb_2+xTe₅，优选非晶硅和过渡金属氧化物。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的阵列基板。发明人发现，该显示装置可以有效防止TFT器件因存在工艺波动以及设计大的沟道宽度或小的沟道长度而导致的泄漏电流，且由于阻变结构开关可达10⁶～10⁷以上，较a-Si TFT大1～2个数量级，因此也可进一步防止TFT本身存在的泄漏电流，进而提高了像素的保持能力，保证了画面的质量，也可改善Crosstalk、Flicker、Flicker Shift等不良。