[发明专利]存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器件，所述存储器件包括若干个存储单元，其中，每个存储单元包括多行多列闪存结构，其特征在于，所述存储器件还包括高压译码器、低压译码器和隔离模块，所述隔离模块包括多个隔离单元，其中：

多个所述隔离单元连接在所述高压译码器和所述低压译码器之间，每个所述闪存结构均连接于高压译码器与一个隔离单元的连接处，两个闪存结构共用同一控制栅，所述高压译码器为与之连接的所述闪存结构提供操作电压；

对某个所述闪存结构进行编程时，与该闪存结构连接的隔离单元关断，与该闪存结构共用同一控制栅的闪存结构所连接的隔离单元关断；与该闪存结构相邻行的闪存结构所连接的隔离单元导通，使闪存结构的编程电压得以有效；

每个所述隔离单元包括两个隔离晶体管，所述隔离模块还包括第一控制线、第二控制线、第三控制线和第四控制线，其中：

在多个所述隔离单元的一部分中，每个所述隔离单元中的两个隔离晶体管分别被所述第一控制线和所述第二控制线控制；

在多个所述隔离单元的另一部分中，每个所述隔离单元中的两个隔离晶体管分别被所述第三控制线和所述第四控制线控制；

所述第一控制线和所述第四控制线的奇数列隔离晶体管的漏极和源极连接，所述第二控制线和所述第三控制线的偶数列隔离晶体管的漏极和源极连接。

2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，每个所述存储单元对应六个所述隔离单元，其中：

对应每个所述存储单元的六个所述隔离单元中，四个隔离单元中的隔离晶体管被所述第一控制线和所述第二控制线控制，两个隔离单元中的隔离晶体管被所述第三控制线和所述第四控制线控制。

3.如权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第一控制线和所述第四控制线控制的隔离晶体管的源极连接所述低压译码器；所述第一控制线控制的隔离晶体管的漏极连接所述第二控制线控制的隔离晶体管的源极；所述第四控制线控制的隔离晶体管的漏极连接所述第三控制线控制的隔离晶体管的源极；所述第二控制线上和所述第三控制线控制的隔离晶体管的漏极连接所述闪存结构和所述高压译码器。

4.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述第一控制线和所述第四控制线控制的隔离晶体管中奇数列隔离晶体管被短路，所述第二控制线和所述第三控制线控制的隔离晶体管中偶数列隔离晶体管被短路。

5.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，每个存储单元包括4行4列闪存结构，第一行第一列、第一行第二列、第四行第一列和第四行第二列的所述闪存结构连接所述第三控制线的第一列隔离晶体管；第二行第三列、第二行第四列、第三行第三列和第三行第四列的所述闪存结构连接所述第三控制线的第二列隔离晶体管。

6.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，第二行第一列和第三行第一列的所述闪存结构连接所述第二控制线的第一列隔离晶体管；第二行第二列和第三行第二列的所述闪存结构连接所述第二控制线的第二列隔离晶体管；第一行第三列和第四行第三列的所述闪存结构连接所述第二控制线的第三列隔离晶体管；第一行第四列和第四行第四列的所述闪存结构连接所述第二控制线的第四列隔离晶体管。

7.如权利要求6所述的存储器件，其特征在于，当所述存储单元的第一行第一列闪存结构被编程时，所述第一控制线和所述第四控制线被施加第一电压，所述第二控制线和所述第三控制线被施加第二电压。

8.如权利要求6所述的存储器件，其特征在于，当所述存储单元的第一行第二列闪存结构被编程时，所述第二控制线和所述第四控制线被施加第一电压，所述第一控制线和所述第三控制线被施加第二电压。

9.如权利要求6所述的存储器件，其特征在于，当所述存储单元的第一行第三列闪存结构被编程时，所述第一控制线和所述第三控制线被施加第一电压，所述第二控制线和所述第四控制线被施加第二电压。