[发明专利]太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法

权利要求书

1.一种太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a)：选取不少于3组电池片，不同组别电池片之间的副栅的根数不同；分别计算每组电池片的平均短路电流密度J_SC、主栅几何遮光率f_busbar平均值和副栅几何遮光率f_finger平均值；

步骤b)：以f_finger为横坐标，以J_SC为纵坐标绘制离散图并做线性拟合得到直线，所得直线对应式(1)：

Jsc＝J_L·(1-f_busbar-K·f_finger)， 式(1)；

其中，J_L为非遮光区的广生电流密度，K为副栅遮光率的修正系数；

根据离散图得到直线的斜率y以及截距D，根据式(2)和式(3)，可计算得出副栅遮光率的修正系数K：

所述直线的斜率y＝-J_L·K， 式(2)；

所述直线的截距D＝J_L·(1-f_busbar)， 式(3)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述电池片之间的短路电流密度差异控制在30mA/cm²以内。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述步骤a)中，选取的电池片的组数不少于4组。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述步骤a)中，每组电池片的数量不少于20片。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述电池片的副栅数量不少于60根。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述不同组别电池片之间的副栅数量之差大于10根。

7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述电池片的制备过程包括以下步骤：硅片经制绒、扩散、刻蚀、PECVD沉积、丝网印刷和烧结得到所述电池片。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，其特征在于，所述硅片的电阻率差异控制在±0.2Ω·cm范围内。

9.一种太阳能电池副栅遮光率的测定方法，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法得到副栅遮光率修正系数K，之后根据太阳能电池副栅遮光率f＝K·f_finger求得副栅遮光率，其中，f_finger副栅几何遮光率。

10.一种电池片印刷质量的评价方法，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法得到修正系数K，K值小于等于0.8，判定印刷质量合格，K值大于0.8，判定印刷质量不合格。