[发明专利]太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法

说明书

本发明提供了太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法，涉及太阳能电池生产制造技术领域，太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，包括以下步骤：步骤a)：选取不少于3组电池片，不同组别电池片之间的副栅条数不同；分别计算每组电池片的平均短路电流密度J_SC；步骤b)：计算每组电池片的主栅几何遮光率f_busbar和副栅几何遮光率f_finger；步骤c)：以f_finger为横坐标，以J_SC为纵坐标绘制离散图并做线性拟合得到直线，所述直线的斜率y＝‑J_L·K，所述直线的截距D＝J_L·(1‑f_busbar)，通过离散图和计算得出副栅遮光率的修正系数K。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池副栅遮光率修正系数与副栅遮光率的测定方法及电池片印刷质量的评价方法。

背景技术

太阳能电池正面电极是用来收集光照下电池表面溢出的电子，并把它们输运到终端电路的金属结构。常规的电极结构多是梳状电极，包括2-5条主栅与垂直于它的百余根副栅，通过丝网印刷的方式，将银浆通过网版印刷到电池片上，印刷时，刮刀挤压银浆通过网版的空隙粘附在电池片上，经烧结与硅片形成良好的欧姆接触。

在电池片的使用中，银栅线覆盖的部分将完全遮挡阳光，造成光损失，所以在丝网印刷时，大的栅线高宽比是丝网工艺的一个目标。实际上，丝网印刷形成的电极横截面并非标准的矩形，而是如图1 所示的类似正态分布曲线形截面。对于副栅来说，银栅线在与硅接触的地方最宽，距离硅越远处越窄。银的覆盖范围如bc段所示，这部分的硅料因无法接触光照而产生部分光损失，副栅bc段宽度所对应的电池片面积即是平常实际测量的几何遮光面积，此部分的几何遮光面积与电池片面积的比值即为几何遮光率。

但是，几何遮光率不能完全作为电池遮光损耗，由于副栅的特殊截面形状，副栅bc段范围上方的光并非完全被浪费掉，部分光会被栅线反射后入射到裸露的硅料ab段或cd段处，进而被吸收掉。这部分经反射后被吸收的光，会填补部分遮光损失，所示副栅的实际遮光率(以下简称副栅遮光率)并非几何遮光率，而是与副栅的截面形状有着很大的关系，受浆料、丝网张力、孔径、刮刀力度等影响。因此，需要确定一个副栅遮光率修正系数来修正副栅遮光率，以接近真实情况。

当前行业中，还没有关于测试副栅遮光率的测试方法，属于行业空白。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，利用该测定方法能够得出副栅遮光率修正系数，从而对细栅的结构、性能做出评价。

本发明的第二目的在于提供一种太阳能电池副栅遮光率的测定方法，利用该测定方法能够得出副栅遮光率，从而对细栅的形状结构做出评价。

本发明的第三目的在于提供一种电池片印刷质量的评价方法，利用该评价方法能够及时判断电池片的印刷质量是否符合要求，并依据评价结果对印刷工艺和网版及时做出调整。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种太阳能电池副栅遮光率修正系数的测定方法，包括以下步骤：

步骤a)：选取不少于3组电池片，不同组别电池片之间的副栅的根数不同；分别计算每组电池片的平均短路电流密度J_SC、主栅几何遮光率f_busbar平均值和副栅几何遮光率f_finger平均值；

步骤b)：以f_finger为横坐标，以J_SC为纵坐标绘制离散图并做线性拟合得到直线，所得直线对应式(1)：